
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
High input impedance and high gain
VN2110 封裝圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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VN2110K1-G | Luminus | BIG CHIP LED HB MODULE GREEN | 立即購買 |
最近,有位小仙女又找筆者來推薦筆記本,要求:顏值要高,要很輕,不然拿不動。..
Git是分布式版本控制系統(tǒng),那么它就沒有中央服務(wù)器的,每個人的電腦就是一個完整的版本庫,這樣,工作的時候就不需要聯(lián)網(wǎng)了,因?yàn)榘姹径际窃谧约旱碾娔X上。既然每個人的電腦都有一個完整的版本庫,那多個人如何協(xié)作呢...
10米27MHz CW無線電放大器配備了Siliconix生產(chǎn)的VN66AF晶體管,具有一些優(yōu)點(diǎn):價格便宜,介電絕緣性好,增益高。在這里,我們使用VN66AF作為10m頻段(26 。..30兆赫)。
CVN token將鼓勵人人影視社區(qū)中的內(nèi)容創(chuàng)作者產(chǎn)出更多優(yōu)質(zhì)內(nèi)容、獲取更多收入和認(rèn)可,同時增加內(nèi)容消費(fèi)者閑置資源的利用率,構(gòu)建一個內(nèi)容質(zhì)量、經(jīng)濟(jì)價值、社群活躍度更高的海內(nèi)外影視內(nèi)容交流社區(qū)。
本文開始介紹看IR2110的特點(diǎn)和IR2110內(nèi)部功能圖,其次詳細(xì)闡述了IR2110的工作原理,對IR2110自舉電路工作原理進(jìn)行了分析和IR2110柵極電平箝位電路,最后介紹了三款ir2110的應(yīng)用電路。
IR2110在三相橋式電機(jī)驅(qū)動電路中的應(yīng)用電路
本文主要介紹了ir2110中文資料詳解_引腳圖排列封裝及功能_工作原理_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及典型應(yīng)用電路,IR2110內(nèi)部功能由三部分組成:邏輯輸入;電平平移及輸出保護(hù)。具有獨(dú)立的低端和高端輸入通道,懸浮電源采用自舉電路,工作頻率...
由于遠(yuǎn)程供電的需要,需研制一臺高壓大功率直流 開關(guān)電源 。采用開關(guān)電源主要是因?yàn)殚_關(guān)電源功率可以做大、電壓可以做高、電壓調(diào)節(jié)范圍可以做廣。但是在整個研制過程中發(fā)現(xiàn)驅(qū)
VN2460 | VN4012 | VP2450 | VN0109 |
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