
This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN2106 封裝圖
型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
VN2106N3-G | Luminus | BIG CHIP LED HB MODULE GREEN | 立即購買 |
LMK1D210x 時(shí)鐘緩沖器將兩個(gè)時(shí)鐘輸入(IN0 和 IN1)分配給LMK1D2108中的總共 16 對(duì)差分 LVDS 時(shí)鐘輸出(OUT0 至 OUT15),并在LMK1D2106中分配 12
北匯基于基于Vector CANoe、VN5650、VT System和Technica公司升級(jí)版的Golden Device,推出“一站式”100&1000BASE-T1 IOP測(cè)試解決方案。
合發(fā)布LTECat1bis模組雁飛VN200。聯(lián)通華盛副總經(jīng)理陳豐偉、紫光展銳CEO任奇?zhèn)?、廣和通市場部VP朱濤出席發(fā)布儀式并致辭,共同見證產(chǎn)品發(fā)布。廣和通聯(lián)合中國聯(lián)通、紫光展
北匯基于基于Vector CANoe、VN5650、VT System和Technica公司升級(jí)版的Golden Device,推出“一站式”100&1000BASE-T1 IOP測(cè)試解決方案。
網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化,或者說NFV,在多年前就開始流行,這是一種創(chuàng)建虛擬網(wǎng)絡(luò)功能(VNF)的方法,以取代基于硬件或基于設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)服務(wù),例如負(fù)載平衡、網(wǎng)關(guān)和防火墻。
讓我們首先添加一個(gè)放大器噪聲源V。n,到跨阻放大器的整體情況??缱璺糯笃麟娐穲D(圖1)中顯示的元件為我們提供了關(guān)鍵頻率分量的評(píng)估。對(duì)于穩(wěn)定性分析,輸入信號(hào)源為噪聲電壓,Vn.放大器噪聲源的型號(hào)(Vn) 放置在放大器輸入端。
MS2106 是一款視頻和音頻的處理芯片,可將 AVS-Video 視頻信號(hào)、音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為 USB信號(hào),且轉(zhuǎn)換的 USB 視頻、音頻信號(hào)符合 UVC 和 UAC 協(xié)議。同時(shí),可通過 USB 接口播放或者錄制視頻、音頻信號(hào)。MS2106 支持 YUV 和 MHPEG 兩種模式。內(nèi)...
溝槽(Trench)MOSFET 是一種新型垂直結(jié)構(gòu)的 MOSFET 器件,是從傳統(tǒng)平面 MOSFET 結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上優(yōu)化發(fā)展而來,Trench MOSFET 由于將溝槽深入硅體內(nèi),在設(shè)計(jì)上可以并聯(lián)更多的元胞,從而降低導(dǎo)通電阻(Ron),實(shí)現(xiàn)更大電流的導(dǎo)通和更寬的開關(guān)速度。
VP0808 | VP2110 | VN0550 | VP0808 |
VN2450 | VN1206 | VN0606 | VN0109 |
VP2106 | VP2450 | V23074A2002A403 | VP2206 |
VECANA01 | VP0109 | VP0109 | VN2222L |
VN2460 | VN2406 | VN4012 | VP3203 |