
制造商:Microchip
VP2110 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-to-drain diode
High input impedance and high gain
VP2110 封裝圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
VP2110K1-G | Microchip | 立即購買 |
介紹了IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特點,給出了高壓側(cè)自舉懸浮驅(qū)動的原理和自舉元件的設(shè)計與選擇方法。同時針對IR2110的不
SV-2101VP和 SV-2103VP網(wǎng)絡(luò)音頻模塊是一款通用的獨立SIP音頻功能模塊,可以輕松地嵌入到OEM產(chǎn)品中。該模塊對來自網(wǎng)絡(luò)的SIP協(xié)議及RTP音頻流進行編解碼。 該模塊支持多種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議
...可以用于軟燈帶,否則也只能用加強版的3014(3014E);而2110支架強度和加強版的2835和3014相當,機械強度高,可以直接用于軟燈帶,耐受彎折不斷裂。
本文開始介紹了IR2110內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特點,其次介紹了高壓側(cè)懸浮驅(qū)動的自舉原理與自舉元器件的分析與設(shè)計,最后介紹了IR2110的擴展應(yīng)用與應(yīng)用實例。
SV-2101VP/ SV-2103VP使用了AT32F437VGT7處理器構(gòu)架加專業(yè)的雙向音頻Codec編解碼器,處理器負責數(shù)據(jù)的傳輸,用戶命令的解析執(zhí)行以及功放接口的控制,專業(yè)音頻Codec負責
本文開始介紹看IR2110的特點和IR2110內(nèi)部功能圖,其次詳細闡述了IR2110的工作原理,對IR2110自舉電路工作原理進行了分析和IR2110柵極電平箝位電路,最后介紹了三款ir2110的應(yīng)用電路。
IR2110在三相橋式電機驅(qū)動電路中的應(yīng)用電路
本文主要介紹了ir2110中文資料詳解_引腳圖排列封裝及功能_工作原理_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及典型應(yīng)用電路,IR2110內(nèi)部功能由三部分組成:邏輯輸入;電平平移及輸出保護。具有獨立的低端和高端輸入通道,懸浮電源采用自舉電路,工作頻率...
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