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    首頁產(chǎn)品索引HMC8119

    HMC8119

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    81 GHz至86 GHz,E頻段I/Q上變頻器

    制造商:ADI/AD

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢和特點

      轉換損耗: 10 dB(典型值)

      邊帶抑制: 針對1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率:22 dBc 16 dBm(典型值)

      輸入三階交調(diào)截點(IP3): 24 dBm(典型值)

      輸入二階交調(diào)截點(IP2): -5 dBm(典型值)

      RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -23 dBm(典型值)

      RF回損: 12 dB(典型值)

      LO回損: 20 dB(典型值)

      裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

    產(chǎn)品詳情

    HMC8119是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上變頻器芯片,工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整個頻段內(nèi)提供10 dB小信號轉換增益和22 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用由6倍LO倍頻器驅動的圖像抑制混頻器。 提供差分I和Q混頻器輸入。 輸入可由針對直接變頻應用的差分I和Q基帶波形驅動。 或者,輸入可通過使用針對單邊帶應用的外部90混合型器件和兩個外部180型器件進行驅動。 所有數(shù)據(jù)包括中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應。

    應用

      E頻段通信系統(tǒng)

      高容量無線回程

      測試與測量

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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