
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
高輸出功率: +17 dBm
低輸入功率驅(qū)動: -2至+6 dBm
FO、3FO隔離: 15 dBc
100 KHz SSB相位噪聲: -140 dBc/Hz
單電源: +5V (90 mA)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4x4 mm SMT封裝
產(chǎn)品詳情
HMC575LP4(E)是一款x2有源寬帶倍頻器,使用GaAs PHEMT技術(shù),采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 由3 dBm信號驅(qū)動時,該倍頻器提供+17 dBm的典型輸出功率,在6至9 GHz的頻率下工作。 相對于輸出信號電平,F(xiàn)o和3Fo隔離為15 dBc。
這款倍頻器具有隔直的I/O,非常適合在點對點和VSAT無線電的LO倍頻鏈中使用,與傳統(tǒng)方法相比,可以減少器件數(shù)量。 100 kHz偏置時的低加性SSB相位噪聲為-140 dBc/Hz,有助于保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC575LP4(E)可兼容表面貼裝制造技術(shù)。
應(yīng)用
無線本地環(huán)路
點對點和VSAT無線電
測試儀器儀表
軍事和太空
HMC575電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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HMC575LP4TR | - | - | 立即購買 |
HMC575LP4ETR | - | - | 立即購買 |
HMC575LP4E | - | - | 立即購買 |
HMC575LP4 | - | - | 立即購買 |
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之間的高效GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC功率放大器。
HMC575LP4和HMC575LP4E是x2個有源寬帶倍頻器,采用無引線RoHS兼容SMT封裝中的GaAs PHEMT技術(shù)。當(dāng)由3dBm信號驅(qū)動時,乘法器提供從6到9GHz的+17dBm典型輸出功率。Fo和3Fo隔離相對于輸出信號電平為15dBc。
聯(lián)想Z6 Pro機身正面采用了一塊6.39英寸三星AMOLED全面屏,搭載了驍龍855芯片,擁有一塊4000mAh的大電池,搭配AI極致省電 4.0算法以及27W快充,能夠大幅提升續(xù)航時間。
HMC544A和HMC544AE是6引腳SOT26封裝中的低成本SPDT交換機,用于在中等功率水平下需要非常低插入損耗的發(fā)射-接收應(yīng)用。
本視頻演示使用評估板時AD5755四通道電壓和電流輸出DAC的設(shè)置和性能。還演示了如何設(shè)置Iout和Vout模式、器件的片內(nèi)診斷和動態(tài)功率控制。
HMC-APH518是一款兩級GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器,工作頻率范圍為21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+30.5 dBm輸出功率(1 dB壓縮)
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HMC-ALH435 優(yōu)勢性能 HMC-ALH435?特征HMC-ALH435? 應(yīng)用
HMC543A | HMC346AMS8GE | HMC795 | HMC566LP4E |
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HMC465LP5 | HV9985 | HMC666 | HMC-C028 |
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HMC1161 | HMC832A | HMC514 | HMC-ALH376 |