HMC723LP3E

制造商：ADI/AD

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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• HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)

  2025-04-09
• HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF

  2025-04-09
• HMC500LP3/500LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC500LP3(E)是一款高動態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC，用于RF預(yù)失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續(xù)改變RF信號

  2025-04-09
• HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

  HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm

  2025-03-21
• HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低IDQ

  2025-03-21
• HMC981LP3E有源偏置控制器SMT

  HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自動調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實現(xiàn)恒定的偏置電流。它可用于為A級區(qū)（漏極電壓為4V至12V，漏極電流最大為200mA）的增強和耗盡型放大器提供合適的偏置

  2023-02-03
• HMC506LP4ETR集成緩沖放大器

  HMC506LP4和HMC506LP4E是集成諧振器、負(fù)阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器的GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）MMIC VCO。

  2023-06-27
• HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊

  及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O，該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應(yīng)用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝，無需線焊，可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。

  2025-03-20

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