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制造商：ADI/AD
優(yōu)勢和特點
噪聲系數(shù)： 2.9 dB
增益： 20 dB
OIP3: 22 dBm
P1dB輸出功率： +11 dBm
50 Ω匹配輸入/輸出
密封模塊
可現(xiàn)場更換的2.92 mm連接器
工作溫度范圍為-55至+85℃
產(chǎn)品詳情
HMC-C027是一款GaAs MMIC PHEMT低噪聲放大器，封裝在微型密封模塊中，在29至36 GHz的頻率下工作。 這種高動態(tài)范圍放大器模塊提供20 dB的增益、2.9 dB的噪聲系數(shù)、高達+22 dBm的輸出IP3，使用+3V單電源。 寬帶放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω，并經(jīng)過隔直，以提供穩(wěn)定的性能。 該模塊具有正增益斜率，并在其工作頻帶內(nèi)提供一致的噪聲系數(shù)和輸出功率性能。
應用
電信基礎(chǔ)設施
微波無線電和VSAT
軍事和太空
測試儀器儀表
光纖產(chǎn)品
霍尼韋爾 HMC5883L 是一種表面貼裝的高集成模塊，并帶有數(shù)字接口的弱磁傳感器芯片，應用于低成本羅盤和磁場檢測領(lǐng)域（指南針、GPS）。 HMC5883L 包括最先進的高分辨率 HMC
HEHSS027D 產(chǎn)品參數(shù) 工作電壓：4~28V 工作溫度：-40℃~125℃ 典型Rds（on）值：27 mΩ（IOUT = 3 A; Tj = 25°C） 額定負載能力：5.1A（單通道
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
HMC-C046是一款無源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 該模塊采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
HMC-C044是一款無源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該模塊采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
HMC-C042是一款無源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該模塊采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
HMC-C041是一款無源I/Q MMIC混頻器，封裝在微型密封模塊中，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該模塊采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。
HMC-C032是一款x2有源寬帶倍頻器，采用GaAs PHEMT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中。 由+3 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器在18至29 GHz范圍內(nèi)提供+16 dBm的典型輸出功率。 在24
| HMC-C021 | HMC408 | HMC1082 | HMC7054 |
| HMC1144 | HMC723LP3E | HMC363-Die | HMHA281 |
| HMC1168 | HV66 | HMC344 | HMC-C040 |
| HMC839 | HV2902 | HMC349AMS8G | HMC577 |
| HMC6980 | HMC1122 | HMC695 | HMC412B |
上傳BOM
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