HMC652LP2E

制造商：ADI/AD

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• HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)

  2025-04-09
• HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF

  2025-04-09
• HMC500LP3/500LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC500LP3(E)是一款高動態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC，用于RF預(yù)失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續(xù)改變RF信號

  2025-04-09
• HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位數(shù)字移相器，4.8-6.2GHz技術(shù)手冊

  HMC1133LP5E是一款6位數(shù)字移相器，額定頻率范圍為4.0至7 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC1133LP5E在所有相態(tài)具有2.8度的極低RMS相位誤差及±0.4

  2025-04-09
• G．652光纖各個子類之間有什么差別

  G．652光纖是最早使用的單模光纖類型，也目前通信網(wǎng)中使用量最大的光纖。無論是長途網(wǎng)、本地網(wǎng)還是接入網(wǎng)，G．652光纖都是絕對的主角，其總體使用量的占比超過95%。

  2021-01-18
• HMC967LP4E I/Q下變頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  dBc的鏡像抑制性能。 HMC967LP4E采用LNA，后接由有源x2倍頻器驅(qū)動的鏡像抑制混頻器。 該鏡像抑制混頻器使得LNA之后無需使用濾波器，并可消除鏡像頻率下的熱噪聲。 它具有I和Q混頻器輸出

  2025-04-03
• HMC786LP4E集成LO放大器的BiCMOS混頻器技術(shù)手冊

  HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率范圍為0.7至1.1 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA

  2025-04-02
• HMC1113LP5E GaAs MMIC I/Q下變頻器技術(shù)手冊

  HMC1113LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器，采用無鉛5 x 5 mm低應(yīng)力注塑塑料表貼封裝。 該器件提供12 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益、1.8 dB的噪聲系數(shù)和25 dBc

  2025-04-01

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