
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
高輸出功率: +17 dBm
低輸入功耗驅(qū)動(dòng): -2至+6 dBm
Fo隔離: >20 dBc(Fout = 24 GHz時(shí))
100 kHz SSB相位噪聲: -132 dBc/Hz
單電源: +5V (82 mA)
裸片尺寸: 1.18 x 1.23 x 0.1 mm m
產(chǎn)品詳情
THMC576是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在18至29 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 在24 GHz頻率下,F(xiàn)o和3Fo隔離分別大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常適合在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無線電的LO倍頻鏈中使用,與傳統(tǒng)方法相比,可以減少器件數(shù)量。 100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-132 dBc/Hz,有助于保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。
應(yīng)用
時(shí)鐘生成應(yīng)用:SONET OC-192和SDH STM-64
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無線電
測(cè)試儀器儀表
軍事電子戰(zhàn)/雷達(dá)
太空
HMC576-DIE電路圖
型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
HMC576-SX | - | - | 立即購買 |
HMC576 | - | - | 立即購買 |
HMC-APH518是一款兩級(jí)GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器,工作頻率范圍為21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益,采用+5V電源電壓時(shí)具有+30.5 dBm輸出功率(1 dB壓縮)
昨夜我們欣賞了AMD二代霄龍?zhí)幚砥鞯募t外線透視照,來自德國硬件媒體HardwareLuxx的大神級(jí)人物OC_Burner,但是翻閱資料發(fā)現(xiàn),這并不是他第一次如此對(duì)待AMD處理器,此前就已經(jīng)以同樣的方式觀察過三代銳龍,但好像沒有引起多少人...
Multi-Die設(shè)計(jì)是一種在單個(gè)封裝中集成多個(gè)異構(gòu)或同構(gòu)裸片的方法,雖然這種方法日益流行,有助于解決與芯片制造和良率相關(guān)的問題,但也帶來了一系列亟待攻克的復(fù)雜性和變數(shù)。尤其是,開發(fā)者必須努力確保
隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,系統(tǒng)越趨復(fù)雜,同時(shí)產(chǎn)品集成度要求也越來越高,系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)成為了最具潛力的候選方案之一,其將不同制程工藝節(jié)點(diǎn)的裸芯片Die集成在一個(gè)封裝里,在滿足器件高性能需求的同時(shí),也減少了芯片設(shè)計(jì)公司的研發(fā)成本和時(shí)間。
簡單來說,Die(發(fā)音為/da?/,中文常稱為裸片、裸晶、晶?;蚓┦侵笍囊徽瑘A形硅晶圓(Wafer)上,通過精密切割(Dicing)工藝分離下來的、單個(gè)含有完整集成電路(IC)功能的小方塊。
DAF膠膜,全稱芯片粘接薄膜(Die Attach Film),又稱固晶膜或晶片黏結(jié)薄膜,是半導(dǎo)體封裝中的關(guān)鍵材料,用于實(shí)現(xiàn)芯片(Die)與基板(Substrate)或框架(Lead Frame)之間的高性能、高可靠性連接。這種連接直接決定了器件的機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)熱性能和長期可靠性。
HMC8401是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)。HMC8401是一款寬帶低噪聲放大器,工作頻率范圍為DC至28 GHz.該放大器提供
DDR4的單、雙DIE兼容仿真案例
HMC-T2240 | HMC699 | HMC-C015 | HMC400 |
HMC720 | HMC900 | HMC871 | HMC490LP5E |
HMC1086 | HV9803B | HMC232A | HMC720 |
HMC463LP5 | HMC588 | H11AA4M | HT0440 |
HMC533 | HMC717A | HMC1162 | HMC311LP3 |