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    首頁產(chǎn)品索引HMC6505A

    HMC6505A

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    5.5 GHz 到 8.6 GHz,GaAs,MMIC,I/Q 升頻器

    制造商:ADI/AD

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

      轉(zhuǎn)換增益:15 dB(典型值)

      邊帶抑制:22 dBc(典型值)

      增益最大時(shí)的輸出 P1dB 壓縮:22 dBm(典型值)

      增益最大時(shí)的輸出 IP3:35 dBm(典型值)

      LO 到 RF 隔離:4 dB(典型值)

      LO 到 IF 隔離:9 dB(典型值)

      RF 回波損耗:20 dB(典型值)

      LO 回波損耗:10 dB(典型值)

      IF 回波損耗:20 dB(典型值)

      裸焊盤,5 mm × 5 mm,32 端子,無引線芯片載體封裝

    產(chǎn)品詳情

    HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器,工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,以及 22 dBc 的邊帶抑制。HMC6505A 在可變?cè)鲆娣糯笃?(VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混頻器,該混頻器由主動(dòng)本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動(dòng)。提供 IF1 和 IF2 混頻器輸入,并需要采用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。I/Q 混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)減少了對(duì)不必要的邊帶進(jìn)行過濾的需要。HMC6505A 是混合式單邊帶 (SSB) 升頻器組件的小型替代方案,它可以使用表面安裝制造技術(shù),這消除了對(duì)引線鍵合的需要。

    HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子無引線芯片載體 (LCC) 封裝,可在 ?40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)工作。HMC6505A 的評(píng)估板還可按需提供。

    應(yīng)用

      點(diǎn)到點(diǎn)和單點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無線電

      軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn) (EW) 和電子智能 (ELINT)

      衛(wèi)星通信

      傳感器

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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