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    HMC7912

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    GaAs MMIC I/Q上變頻器21 GHz至24 GHz

    制造商:ADI/AD

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

      轉(zhuǎn)換增益:15 dB(典型值)

      邊帶抑制:22 dBc(典型值)

      針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率:4 dBm(典型值)

      輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(OIP3):33 dBm(典型值)

      RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:5 dBm(典型值)

      中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏:-35 dBm(典型值)

      RF回波損耗:15 dB(典型值)

      LO回波損耗:15 dB(典型值)

      32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

    產(chǎn)品詳情

    HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過(guò)外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。 HMC7912LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件,它無(wú)需線(xiàn)焊,可以使用表貼制造技術(shù)。

    應(yīng)用

      點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電

      軍用雷達(dá)、EW和ELINT

      衛(wèi)星通信

      傳感器

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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