HMC536LP2

制造商：ADI/AD

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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• HMC369LP3/369LP3E xHMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），單電源電壓為+5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面，對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc（典型值）。

  2025-04-17
• HMC368LP4/368LP4E xHMC368LP4(E)是一款利用GaAs PHEMT技術(shù)制造而成的微型放大器倍頻器，采用4x4 mm無鉛表面貼裝封裝。 由+2 dBm信號驅(qū)動時(shí)，該倍頻器在9至16 GHz范圍內(nèi)提供+15 dBm

  2025-04-17
• Analog Devices Inc. EV1HMC8413LP2F放大器評估板數(shù)據(jù)手冊

  Analog Devices Inc. EV1HMC8413LP2F放大器評估板是一款4層印刷電路板 (PCB)，由10mil厚Rogers 4350B和Isola 370HR銅包覆制成，標(biāo)稱厚度為

  2025-06-24
• HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)

  2025-04-09
• HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

  HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF

  2025-04-09
• HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位數(shù)字移相器，4.8-6.2GHz技術(shù)手冊

  HMC1133LP5E是一款6位數(shù)字移相器，額定頻率范圍為4.0至7 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC1133LP5E在所有相態(tài)具有2.8度的極低RMS相位誤差及±0.4

  2025-04-09
• HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊

  HMC566LP4E是一款高動態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信號增益、2.8 dB噪聲系數(shù)

  2025-03-20
• HMC463LP5集成AGC的寬帶低噪聲放大器，采用SMT封裝，2-20GHz技術(shù)手冊

  HMC463LP5(E)是一款GaAs MMIC pHEMT低噪聲AGC分布式放大器，采用無鉛5x5 mm表貼封裝，工作頻率范圍為2至20 GHz。 該放大器提供13 dB增益、2.8 dB噪聲系數(shù)

  2025-03-20

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