
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
寬IF帶寬: DC - 5 GHz
高鏡像抑制: 25 dB
LO至RF高隔離
無源: 無需直流偏置
裸片尺寸: 1.5 x 2.0 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC-MDB171是一款單芯片I/Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)制造。 針對下變頻應(yīng)用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化。 HMC-MDB171 I/Q MMIC混頻器可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
應(yīng)用
點對點無線電
測試和測量設(shè)備
衛(wèi)星通信
傳感器
HMC-MDB171電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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HMC-MDB171-SX | - | - | 立即購買 |
HMC-MDB171 | - | - | 立即購買 |
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HMC-MDB277是一款無源雙平衡MMIC混頻器,采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù),可用作上變頻器或下變頻器。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化,Shottky器件已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。
HMC-MDB218是一款次諧波(x2)MMIC混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)制造。 針對下變頻應(yīng)用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。
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HMC-MDB172是一款單芯片I/Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)制造。 針對下變頻應(yīng)用,外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。
HMC-MDB171是一款單芯片I/Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC混頻器采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)制造。 針對下變頻
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HMC-MDB169是一款無源雙平衡MMIC混頻器,采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù),可用作上變頻器或下變頻器。 這款緊湊型混頻器具有寬IF帶寬、低轉(zhuǎn)換損耗、LO至RF和LO
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