
優(yōu)勢和特點
輸入IP3: +36 dBm
轉(zhuǎn)換損耗: 8.8 dB
無需外部元件
超小型MSOP封裝: 14.8mm2
產(chǎn)品詳情
HMC400MS8(E)是一款高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器,采用表面貼裝8引腳超小型塑料封裝(MSOP),頻率范圍為1.7至2.2 GHz。 LO驅(qū)動為+17dBm時,基于2.5G和3G GSM/CDMA的UMTS或PCS應(yīng)用具有+36 dBm的出色輸入IP3下變頻性能和+29 dBm的上變頻性能。 采用1dB (+21 dBm)壓縮時,RF端口支持各種輸入信號電平。 變頻損耗為8.5dB(典型值),且LO隔離保持在22至33 dB。
此款微型單端單芯片GaAs FET混頻器無需任何外部元件或偏置器件。 50至300 MHz IF頻率響應(yīng)能滿足許多針對低端LO配置的UMTS/PCS發(fā)射或接收頻率計劃。 HMC400MS8(E)輸入IP3性能及其高P1dB可與傳統(tǒng)有源FET混頻器相匹敵,同時提供較小的14.8mm2標準IC尺寸,且無需直流偏置器件。
應(yīng)用
GSM、GPRS和EDGE
CDMA & W-CDMA
電纜調(diào)制解調(diào)器終端系統(tǒng)
HMC400電路圖
HMC400電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
HMC400MS8ETR | KYET | 薄膜電容 徑向 | 立即購買 |
HMC400MS8E | Vishay | 表面貼裝型 N 通道 30 V 19.3A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC | 立即購買 |
HMC906ACHIPS 是一款四級 GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器,工作頻段介于 27.3 和 33.5 GHz 之間。HMC906A 采用 +6V 電源,可以提供 28 dB 的增益以及 +33.5 dBm 的飽和輸出功率和 20% PAE。
作為下一代骨干網(wǎng)的核心承載技術(shù),400G技術(shù)具備更高的傳輸速率、更大的帶寬以及更好的擴展性能等優(yōu)勢,能夠充分滿足大型數(shù)據(jù)中心和通信網(wǎng)絡(luò)日益增長的需求。Omdia報告顯示,2022年400G骨干網(wǎng)相關(guān)設(shè)備全球出貨量增長了55%,預(yù)計未來五年400G市場將保持高速增長。
HMC1126ACEZ是一種砷化鎵(GaAs)、偽晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲放大器,工作頻率為400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5
400G AOC線纜的優(yōu)勢在于其具有更高的傳輸速率和更大的帶寬。與傳統(tǒng)的100G AOC線纜相比,400G AOC線纜可以傳輸更多的數(shù)據(jù),從而提高系統(tǒng)的吞吐量和響應(yīng)速度。
HMC-APH518是一款兩級GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器,工作頻率范圍為21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+30.5 dBm輸出功率(1 dB壓縮)
HMC-ALH435 優(yōu)勢性能 HMC-ALH435?特征HMC-ALH435? 應(yīng)用
HMC-ALH445-DIE 低噪聲放大器芯片,18 - 40 GHz 產(chǎn)品應(yīng)用 HMC-ALH445供應(yīng)商HMC-ALH445 怎么訂貨HMC-ALH445 價格 DIE代表裸芯片 數(shù)量充足隨時可買
HMC-ALH444供應(yīng)商HMC-ALH444怎么訂貨HMC-ALH444價格HMC-ALH444是一款GaAsMMICHEMT低噪聲寬帶放大器芯片,可在1至12GHz之間運行。該放大器在1dB增益
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