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優(yōu)勢和特點(diǎn)
噪聲系數(shù)： 1.4 dB
輸出IP3： +29 dBm
增益： 17 dB
故障安全操作： LNA“無電”時，旁路使能
單電源： +3V或+5V
16引腳3x3mm SMT封裝： 9mm2
產(chǎn)品詳情
HMC669LP3(E)是一款多功能、高動態(tài)范圍GaAs MMIC低噪聲放大器，在IC上集成低損耗LNA旁路模式。 該放大器非常適合接收機(jī)和LNA模塊，工作頻率范圍為1.7至2.2 GHz，采用+5V單電源時(86mA)提供1.4 dB的噪聲系數(shù)、17 dB的增益和+29 dBm的輸出IP3。 輸入和輸出回?fù)p性能出色，無需外部匹配元件。 單一控制線路用于切換LNA模式和低損耗旁路模式。 無直流電源可用時，此故障安全拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還可使能LNA旁路路徑。
應(yīng)用
蜂窩/3G和LTE/WiMAX/4G
BTS和基礎(chǔ)設(shè)施
中繼器和毫微微蜂窩
塔頂放大器
測試和測量設(shè)備
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HMC669電路圖
HMC669電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC669LP3TR | API | 680 nH 無屏蔽 電感器 475 mA 210 毫歐最大 2-SMD | 立即購買 |
| HMC669LP3ETR | FH | 排阻/電阻網(wǎng)絡(luò) RA_0603X4 680Ω ±5% ±100ppm/℃ | 立即購買 |
| HMC669LP3 | KOA | 貼片電阻 0603 825Ω ±0.5% 1/10W ±10ppm/℃ | 立即購買 |
| HMC669LP3E | Infineon | 立即購買 |
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在網(wǎng)友的期待下，這款集一身黑科技的大boss終于在昨天發(fā)布了，晚上8點(diǎn)已經(jīng)在京東等網(wǎng)站熱賣，那么這么一款吸引無數(shù)眼球的黑科技的銷售量到底如何呢。
HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE為低成本SPDT開關(guān)，采用8引腳基極接地MSOP封裝。
HMC544A和HMC544AE是6引腳SOT26封裝中的低成本SPDT交換機(jī)，用于在中等功率水平下需要非常低插入損耗的發(fā)射-接收應(yīng)用。
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今天介紹物聯(lián)設(shè)備 LTE-669P 4G邊緣網(wǎng)關(guān)如何接入阿里云平臺系列。
| HV823 | HMC631 | HMC480 | HMC909 |
| HMC-C007 | HMC609LC4 | HV238 | HMC835 |
| HMC448LC3B | H3LIS100DL | HMC591LP5 | HMC788A |
| HMC547ALP3E | HMC570-Die | HMC362S8G | HMC547ALC3 |
| HMC517LC4 | HMC252A | HMC-APH478 | HMC684 |
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