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    首頁產(chǎn)品索引HMC349AMS8G

    HMC349AMS8G

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    高隔離度、非反射、GaAs、SPDT開關,100 MHz至4 GHz

    制造商:ADI/AD

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢和特點

      非反射式50 ?設計

      高隔離度:57 dB至2 GHz

      低插入損耗:0.9 dB至2 GHz

      高輸入線性度

      1 dB功率壓縮(P1dB):34 dBm(典型值)

      三階交調截點(IP3):52 dBm(典型值)

      高功率處理

      33.5 dBm(通過路徑)

      26.5 dBm端接路徑 單正電源:3 V至5 V

      CMOS/TTL兼容控制

      全部關斷狀態(tài)控制

      帶exposed pad的8引腳超小型封裝(MINI_SO_EP)

    產(chǎn)品詳情

    HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開關,額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。

    HMC349AMS8G非常適合蜂窩基礎設施應用,可實現(xiàn)57 dB高隔離、0.9 dB低插入損耗、52 dBm高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB。

    HMC349AMS8G采用3 V至5 V單正電源供電,提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用帶exposed pad的8引腳超小型封裝。

    應用

      蜂窩/4G基礎設施

      無線基礎設施

      移動無線電

      測試設備

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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