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    首頁產(chǎn)品索引4N60

    4N60

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    4安培, 600伏特N溝道功率MOSFET

     

    產(chǎn)品信息

       與UTC 4N60是一個高電壓MOSFET ,并設(shè)計(jì)成有更好的特性,如快速開關(guān)時間,低門電荷,低通態(tài)電阻,并具有高耐用雪崩的特點(diǎn)。這個功率MOSFET通常用在高速開關(guān)電源中的應(yīng)用, PWM馬達(dá)控制,高高效率的DC -DC轉(zhuǎn)換器和電橋電路。

    特征:

      4A,600V, RDS(on)=2.5Ω@Vgs=10V

      極低柵電荷,典型15nC

      極低反向轉(zhuǎn)換電容;典型8pF

      快速開關(guān)能力

      增強(qiáng)的dV/di能力

      100%雪崩擊穿測試

      封裝型式:TO-220/TO-220F

      最大結(jié)溫 150 ℃


    電路圖、引腳圖和封裝圖

    應(yīng)用案例更多案例

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    4N36M4304506124N35M49S-8-20-20
    4N25M4365004004N38M4N26M
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