
制造商:ON
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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4N30SM | - | - | 立即購買 |
4N30M | - | - | 立即購買 |
4N30SR2M | - | - | 立即購買 |
標(biāo)題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
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PDIP6 8.51x6.35, 2.54P | 63 | 點擊下載 | |
PDIP6 8.51x6.35, 2.54P | 65 | 點擊下載 | |
H11B1M-D.pdf | 399 | 點擊下載 | |
NEMKO:P13216649 | 219 | 點擊下載 | |
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不少朋友在進(jìn)行視頻直播前,都會需要針對NDI設(shè)備進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)設(shè)置。今天咱們就來教大家如何使用千視的N30和網(wǎng)件的交換機(jī)制作NDI流。首先我們以千視N30編解碼器+索尼12G-SDI4K攝像機(jī)
N32G430,該系列產(chǎn)品以32位高性能Arm Cortex-M4F為核心,高達(dá)128MHz主頻、精心打造、型號豐富,緊湊通用型堪比Arm Cortex-M0 內(nèi)核產(chǎn)品價格,創(chuàng)立32位MCU業(yè)內(nèi)
6月8日,國民技術(shù)正式發(fā)布 N32 MCU新成員N32G430 ,該系列產(chǎn)品以32位高性能Arm Cortex-M4F為核心,高達(dá)128MHz主頻、精心打造、型號豐富,緊湊通用型堪比Arm
MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管和N溝道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工藝技術(shù)制造是100A、30VN溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管,可兼容替代
型號:HC3400M 參數(shù):30V 5.8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻27mR(Vgs=10V) 低結(jié)電容635pF? 封裝:SOT23-3 低開啟電壓0.7V 可免費申請樣品和DEMO測試
對配備以太網(wǎng)與CAN控制器的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行優(yōu)化 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,已開始量產(chǎn)M4N組的20款新微控制器。M4N組是TXZ+族高級產(chǎn)品的新成員,采用40nm工藝制造
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4N36M | 4N28M | 4N25M | 49S-8-20-20 |
4N32M | 430300001 | 430450612 | 4N38M |
4N29M | 4N26M | 4N27M | 4N30M |
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