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    多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT 50V 100pF C0G 0603 5% Tol

     

    產(chǎn)品信息

    C0G （ NP0 ）是“溫度的最流行的配方TURE補(bǔ)償， “ EIA I類陶瓷材料?，F(xiàn)代C0G （ NP0 ）配方中含有釹，釤和其他稀土氧化物。

    C0G （ NP0 ）陶瓷提供最穩(wěn)定的電容器之一可用介質(zhì)。電容隨溫度的變化為0 ± 30ppm的/ ° C的不大于± 0.3％?C來自-55°C至+ 125°C 。電容的漂移或滯后C0G （ NP0 ）陶瓷是可忽略的，在小于± 0.05 ％和高達(dá)± 2％的薄膜。典型的電容變化的生活少超過±為C0G （ NP0 ） 0.1％ ，五分之一，所示為其他的電介質(zhì)。 

    C0G （ NP0 ）配方中不顯示衰老的特點(diǎn)。該C0G （ NP0 ）配方通常有超過一個(gè)“Q”1000 ，顯示小電容或“Q ”的轉(zhuǎn)變頻率。其介電吸收是通常小于0.6 ％，這是類似于云母和最薄膜。


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