AT45DB081D-SU

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8兆位2.5伏或2.7伏的DataFlash

中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

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產(chǎn)品信息

　　描述：

　　該AT45DB081D是2.5V或2.7V ，串行接口閃存產(chǎn)品適合于各種各樣的數(shù)字支持語(yǔ)音，圖像 - ，程序代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。

　　該AT45DB081D支持要求非常急流應(yīng)用的串行接口高速操作。急流串行接口SPI的兼容頻率高達(dá)66兆赫。其8650752比特的存儲(chǔ)器被組織為4096頁(yè)的256字節(jié)或264字節(jié)每個(gè)。除了在主存儲(chǔ)器中， AT45DB081D還包含兩個(gè)

　　每個(gè)264分之256字節(jié)的SRAM緩沖器。該緩沖器允許而數(shù)據(jù)的接收在主存儲(chǔ)器頁(yè)面進(jìn)行重新編程，以及寫入的連續(xù)數(shù)據(jù)流。 EEPROM仿真（位或字節(jié)變性）很容易與自我處理包含三個(gè)步驟的讀 - 修改 - 寫操作。不同于傳統(tǒng)的閃存memo-被訪問隨機(jī)與多個(gè)地址線和并行接口里斯。

　　特點(diǎn)：

　　1、單2.5V或2.7V至3.6V電源

　　2、急流串行接口： 66 MHz最大時(shí)鐘頻率

　　- 兼容SPI模式0和3

　　3、用戶可配置的頁(yè)面大小

　　- 每頁(yè)256字節(jié)

　　- 每頁(yè)264字節(jié)

　　- 頁(yè)面大小可在工廠預(yù)先配置為256字節(jié)

　　4、頁(yè)編程操作

　　- 智能編程操作

　　- 4096頁(yè)（二百六十四分之二百五十六字節(jié)/頁(yè)）主內(nèi)存

　　5、靈活的擦除選項(xiàng)

　　- 頁(yè)擦除（ 256字節(jié)）

　　- 塊擦除（ 2字節(jié)）

　　- 扇區(qū)擦除（ 64字節(jié)）

　　- 芯片擦除（ 8兆比特）

　　6、兩個(gè)SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（ 264分之256字節(jié)）

　　- 允許數(shù)據(jù)的接收，同時(shí)重新編程的閃存陣列

　　7、通過整個(gè)陣列連續(xù)讀取功能

　　- 理想的代碼映射應(yīng)用程序

　　8、低功耗

　　- 7毫安有效的讀電流典型

　　- 25 μA待機(jī)電流典型

　　- 15 μA深層關(guān)機(jī)典型

　　9、硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)功能

　　- 個(gè)別部門

　　10、部門鎖定的安全代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

　　- 個(gè)別部門

　　11、安全性： 128字節(jié)安全寄存器

　　- 64字節(jié)的用戶可編程空間

　　- 唯一的64字節(jié)的設(shè)備標(biāo)識(shí)符

　　12、JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID讀

　　13、100000編程/擦除周期每頁(yè)最低

　　14、數(shù)據(jù)保留 - 20歲

　　15、工業(yè)溫度范圍

　　16、綠色（無鉛/無鹵化物/ RoHS標(biāo)準(zhǔn)）的包裝選項(xiàng)

電路圖、引腳圖和封裝圖

AT45DB081D-SU電路圖
AT45DB081D-SU 引腳圖
AT45DB081D-SU 引腳圖
AT45DB081D-SU 封裝圖
AT45DB081D-SU 封裝圖
AT45DB081D-SU 封裝圖

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射頻檢波器MS2351M/MS2351D產(chǎn)品概述
MS2351M/MS2351D 是一款對(duì)數(shù)放大器芯片，主要用于接收信號(hào)強(qiáng)度指示 (RSSI) 與控制功率放大器，工作頻率范圍是0.05GHz?4.0GHz，動(dòng)態(tài)范圍隨信號(hào)頻率不同可達(dá) 35dB 到 45dB。
2023-07-15
何謂dB , dB怎么理解?
何謂dB,dB怎么理解?dB是什么單位?愈低愈好嗎?對(duì)于聲頻(聲學(xué)及電子聲學(xué))方面的單位，它是以分貝(decibel，dB)來做結(jié)果的。斯多里一生專注于科學(xué),1876發(fā)明電話，我們都知道貝爾發(fā)明
2023-01-11
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2023-01-11
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2023-01-11
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