
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimized capacitive charge at turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in interleaved or bridge-less topologies, this dual-diode rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
碳化硅二極管是一種超高性能的功率肖特基二極管。它是使用碳化硅襯底制造的。寬禁帶材料允許的肖特基二極管結(jié)構(gòu)的設計與650伏的評級。由于肖特基結(jié)構(gòu),沒有恢復被證明在關斷和鈴聲模式是可以忽略不計。最小的電容充電,關斷行為是獨立的溫度。
特別適合于在交錯或橋接較少的拓撲結(jié)構(gòu),這種雙二極管整流器將提高在硬開關條件下的性能。它的高正向浪涌能力,保證了良好的魯棒性,在暫態(tài)階段。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK?2 compliant component
主要特點
沒有或可以忽略不計的反向恢復
溫度開關行為
高正向浪涌能力
?Ecopack 2兼容的組件
STPSC12H065C電路圖
STPSC12H065C 引腳圖
STPSC12H065C 封裝圖
STPSC12H065C 封裝圖
近日,全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經(jīng)過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065
日前,Vishay 推出五款采用改良設計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
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在輸入信號轉(zhuǎn)換數(shù)字數(shù)據(jù)之后,必須傳輸它們到DSP或ASIC/FPGA進行處理。流行的全差分輸出信號傳輸是方便的。全差分的輸出信號通過兩條對稱線給出和吸收電流。這種信號傳輸?shù)囊粋€例子是LVDS(低壓差分信號)格式。ADC12QS065用LVDS來解決所有這些系統(tǒng)問題(圖1)。
STTH50W03C | STPS160-Y | STPS2170 | STTH102-Y |
STPS2L60 | STPS20120C | STTH2R02AF-Y | STTH6003 |
STTH1512-Y | SSM2305 | STTH20L03C | STPSC1206 |
STTH10002 | STTS75 | SSM2166 | STTH12003 |
STTH16R04C | STPS2H100-Y | STPS3H100 | STPS0540-Y |