STPS3L60S

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  STPS3L60S電路圖

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  STPS3L60S 引腳圖

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  STPS3L60S 封裝圖

應用案例更多案例

• FORESEE DDR3L，堅持行業(yè)高標準

  隨著5G、IoT技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，智能電子設備對小容量存儲產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和兼容性方面提出了更高的要求。

  2020-09-21
• 基于VHDL的XRD44L60驅(qū)動時序設計

  基于VHDL的XRD44L60驅(qū)動時序設計 電荷耦合器件(Charge Coupled Devices，簡稱CCD)是一種光電轉(zhuǎn)換式圖像傳感器。它利用光電轉(zhuǎn)換原理將圖像信息直接轉(zhuǎn)換成電信號，實現(xiàn)非電量

  2009-05-13
• 3L465構(gòu)成中頻信號發(fā)生器電路

  工作原理：VTl、VT2及有關(guān)元件組成多諧振蕩器，頻率為400Hz左右，用以調(diào)制中頻信號，音頻信號還可以從A點輸出。VT3、VT4組成中頻信號發(fā)生器，DL起選頻作用。調(diào)節(jié)RP可改變振蕩強度。在

  2011-10-14
• Central采用SOD-882L封裝的CFSH2-3L低VF肖特基二極管

  Central Semiconductor公司公布了采用低空間占用的SOD-882L封裝的CFSH2-3L低VF肖特基二極管。新元件的反向重復峰值電壓為30V，

  2011-10-20
• JEDEC發(fā)布DDR3存儲器標準的DDR3L規(guī)范

  JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領導制定機構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)

  2010-08-05
• 帶你走進“聯(lián)發(fā)科技校園軟件大賽”：優(yōu)勝獎“3L”

  聯(lián)發(fā)科技校園軟件大賽——3L 獎項：優(yōu)勝獎

  2018-06-23
• 內(nèi)存條PC3L中的L低壓內(nèi)存的作用

  首先我們要說的是，低壓內(nèi)存這個概念主要是針對筆記本而言的，在Haswell之前的上一lvyBridge平臺上，英特爾就加入了對DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多l(xiāng)vyBridge平臺超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了。

  2020-03-28
• Vishay發(fā)布新款MOS勢壘肖特基整流器VSSAF3L45

  Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45

  2012-12-06

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