
制造商:ON
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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N25S830HAT22I | ON | 這是一款256 Kb的串行SRAM,內(nèi)部組織為32 K x 8-Bit。采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)制造,具有高速性能和低功耗。支持單個片選(CS)輸入,使用簡單的SPI串行總線。包括HOLD引腳,用于暫停通信。工作溫度范圍為-40°C至+85°C,適用于多種標(biāo)準(zhǔn)封裝。 | 立即購買 |
N25S830HAS22I | ON | 安森美半導(dǎo)體串行 SRAM 系列包括多款集成存儲器件,其中就包括這款 256 Kb 串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器,內(nèi)部組織為 8 K 個詞,每個詞 32 位。此類器件采用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的 CMOS 工藝制造,速度快、功耗低。此類器件通過一個單芯片選擇 (CS) 輸入運(yùn)行,并使用一個簡單的串行外圍接口 (SPI) 串行總線。單個數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出行與時鐘一起用于訪問器件中的數(shù)據(jù)。N25S830HA 器件包括暫停引腳,可實(shí)現(xiàn)與要暫停器件的通信。暫停后,輸入轉(zhuǎn)換將忽略。此類器件可在 ?40°C 至 +85°C 的寬廣溫度范圍內(nèi)運(yùn)行,采用若干標(biāo)準(zhǔn)封裝。 | 立即購買 |
標(biāo)題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
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256 kb Low Power Serial SRAMs | 92 | 點(diǎn)擊下載 | |
SOIC-8 | 36 | 點(diǎn)擊下載 | |
Medical Solutions Brochure | 4096 | 點(diǎn)擊下載 | |
TSSOP 8 LEAD 3.0x4.4x1.1 mm | 68 | 點(diǎn)擊下載 |
晶心科技為提供32及64位高效能、低功耗、精簡RISC-V CPU處理器核心的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,今日宣布其Corvette-F1 N25平臺領(lǐng)先成為取得Amazon FreeRTOS資格的RISC-V平臺之一。
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越
The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diodeoptically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.•
4N25 4N28波形電路圖
4N25 4N28電路圖(A)
4N25 4N28電路圖(B)
DN25的管腳配置和內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
DN25的典型應(yīng)用電路 DN25的典型應(yīng)用電路如圖所示。輸入電壓V1為25V穩(wěn)定度為0.12
NB3U1548C | NB3L02 | NCP4354 | NCN49599 |
NB3N4666C | NBSG53A | NCV8461 | NCV7714 |
NCP1254 | NCP81080 | NB3N51034 | NJL3281D |
NCP5030 | NCP1398 | NCV7710 | NB3N51044 |
NCS29001 | NBXDBA017 | NLSX3012 | NCP1080 |