MSP430FR263x 和 MSP430FR253x 是用于電容式觸控感應(yīng)的超低功耗 MSP430? 微控制器，采用CapTIvate 觸控技術(shù)，適用于按鈕、滑塊、滾輪及接近性 應(yīng)用。采用 CapTIvate 技術(shù)的 MSP430 MCU 提供市面上最高集成度和自主性的電容式觸控解決方案，具有高可靠性和抗噪能力以及最低功耗。TI 的電容式觸控技術(shù)支持在同一設(shè)計(jì)方案中同時(shí)使用自電容式和互電容式電極，最大限度地提高了靈活性。采用 CapTIvate 技術(shù)的 MSP430 MCU 可以穿透厚玻璃、塑料外殼、金屬和木材，在惡劣的環(huán)境（包括潮濕、油膩和臟污環(huán)境）中工作。

TI 電容式觸控感應(yīng) MSP430 MCU 由一套全面的硬件和軟件生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行支持，并配套提供參考設(shè)計(jì)和代碼示例，協(xié)助用戶快速開(kāi)展設(shè)計(jì)。開(kāi)發(fā)套件包括 MSP-CAPT-FR2633 CapTIvate 技術(shù)開(kāi)發(fā)套件。TI 還提供免費(fèi)的軟件，如 CapTIvate 設(shè)計(jì)中心，工程師可以在其中 借助 方便易用的 GUI 和 MSP430Ware? 軟件以及包括 CapTIvate 技術(shù)指南在內(nèi)的全面文檔快速進(jìn)行應(yīng)用開(kāi)發(fā)。

TI 的 MSP430 超低功耗 (ULP) FRAM 微控制器平臺(tái)將獨(dú)特的嵌入式 FRAM 和全面的超低功耗系統(tǒng)架構(gòu)相結(jié)合，從而使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠在降低能耗的同時(shí)提升性能。FRAM 技術(shù)將 RAM 的低能耗快速寫(xiě)入、靈活性和耐用性與閃存的非易失性相結(jié)合。

• CapTIvate 技術(shù) – 電容式觸控

• CapTIvate 設(shè)計(jì)中心 PC GUI 允許工程師對(duì)電容按鈕進(jìn)行實(shí)時(shí)設(shè)計(jì)和調(diào)試，無(wú)需編寫(xiě)代碼

• 存儲(chǔ)于 ROM 中的 CapTIvate 軟件庫(kù)為客戶應(yīng)用提供充足的 FRAM

• 觸摸喚醒模式下的電流 < 0.9μA/按鈕，其中電容測(cè)量和觸控檢測(cè)由硬件狀態(tài)機(jī)完成，同時(shí) CPU 處于休眠狀態(tài)

• 觸摸喚醒狀態(tài)機(jī)支持在 CPU 休眠過(guò)程中進(jìn)行電極掃描

• 用于環(huán)境補(bǔ)償、濾波和閾值檢測(cè)的硬件加速

• 多達(dá) 16 個(gè)自電容式電極和 64 個(gè)互電容式電極

• 在同一設(shè)計(jì)中混合使用自電容式電極和互電容式電極

• 支持多點(diǎn)觸控功能

• 寬電容檢測(cè)范圍；0 至 300pF 寬電極范圍

• 提高了針對(duì)電力線、射頻 (RF) 及其他環(huán)境噪聲的抗擾度

• 內(nèi)置擴(kuò)展頻譜、自動(dòng)調(diào)整、噪聲濾除和消抖算法

• 提供可靠的觸控解決方案，具有 10V 均方根 (RMS) 共模噪聲、4kV 電快速瞬變以及 15kV 靜電放電，符合 IEC?61000-4-6、IEC-61000-4-4 和 IEC?61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)

• 通過(guò)降低 RF 輻射簡(jiǎn)化電氣設(shè)計(jì)

• 支持金屬觸控和防水設(shè)計(jì)

• 四路同步快速電極掃描

• 支持點(diǎn)數(shù)超過(guò) 1024 的高分辨率滑塊

• 30cm 接近度感測(cè)

• 性能

• 可靠性

• 靈活性

• 低功耗

• 易于使用

• 嵌入式微控制器

• 16 位精簡(jiǎn)指令集 (RISC) 架構(gòu)

• 支持的時(shí)鐘頻率最高可達(dá) 16MHz

• 寬電源電壓范圍：1.8V 至 3.6V (1)

• 優(yōu)化的超低功耗模式

• 平均電流為 1.7μA/按鈕（典型值）（16 個(gè)自電容式按鈕，8Hz 掃描）

• 平均電流為 1.7μA/按鈕（典型值）（64 個(gè)互電容式按鈕，8Hz 掃描）

• 激活模式：126μA/MHz（典型值）

• 待機(jī)電流

• 采用 32768Hz 晶振的 LPM3.5 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC) 計(jì)數(shù)器：730nA（典型值）

• 關(guān)斷電流 (LPM4.5)：16nA（典型值）

• 超低功耗鐵電 RAM (FRAM)

• 高達(dá) 15.5KB 的非易失性存儲(chǔ)器

• 內(nèi)置錯(cuò)誤修正碼 (ECC)

• 可配置的寫(xiě)保護(hù)

• 對(duì)程序和常量數(shù)據(jù)統(tǒng)一進(jìn)行存儲(chǔ)

• 1015 寫(xiě)入周期持久性

• 抗輻射和非磁性

• 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM) 與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 之比高達(dá) 4：1

• 智能數(shù)字外設(shè)

• 兩個(gè)定時(shí)器，每個(gè)定時(shí)器具有三個(gè)捕捉/比較寄存器 (Timer_A3)

• 兩個(gè)定時(shí)器，每個(gè)定時(shí)器具有兩個(gè)捕捉/比較寄存器 (Timer_A2)

• 4 個(gè) 16 位定時(shí)器

• 一個(gè)與 CapTIvate?技術(shù)相關(guān)的 16 位定時(shí)器

• 一個(gè)僅用作計(jì)數(shù)器的 16 位 RTC

• 16 位循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC)

• 增強(qiáng)型串行通信

• 兩個(gè)增強(qiáng)型通用串行通信接口(eUSCI_A) 支持通用異步收發(fā)器 (UART)、紅外數(shù)據(jù)通信 (IrDA) 和串行外設(shè)接口 (SPI)

• 一個(gè) eUSCI (eUSCI_B) 支持 SPI 和 I2C

• 高性能模擬

• 1.5V 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓

• 采樣與保持 200ksps

• 8 通道 10 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)

• 時(shí)鐘系統(tǒng) (CS)

• 室溫下的精度為 ±1%（具有片上基準(zhǔn)）

• 片上 32kHz RC 振蕩器 (REFO)

• 帶有鎖頻環(huán) (FLL) 的片上 16MHz 數(shù)字控制振蕩器 (DCO)

• 片上超低頻 10kHz 振蕩器 (VLO)

• 片上高頻調(diào)制振蕩器 (MODOSC)

• 32kHz 外部晶振 (LFXT)

• 可編程 MCLK 預(yù)分頻器（1 至 128）

• 通過(guò)可編程預(yù)分頻器（1、2、4 或 8）從 MCLK 獲得的 SMCLK

• 通用輸入/輸出和引腳功能

• 共計(jì) 19 個(gè) I/O（采用 TSSOP-32 封裝）

• 16 個(gè)中斷引腳（P1 和 P2）可以將 MCU 從低功耗模式下喚醒

• 開(kāi)發(fā)工具和軟件

• CapTIvate 設(shè)計(jì)中心 – 代碼生成、GUI 定制、實(shí)時(shí)調(diào)試

• 易于使用的生態(tài)系統(tǒng)

• 自由的專業(yè)開(kāi)發(fā)環(huán)境

• 12KB ROM 庫(kù)包含 CapTIvate 觸控程序庫(kù)和驅(qū)動(dòng)程序庫(kù)

• 系列成員（另請(qǐng)參閱器件比較）

• MSP430FR2633：15KB 程序 FRAM + 512B 信息 FRAM + 4KB RAM
  多達(dá) 16 個(gè)自電容式傳感器或 64 個(gè)互電容式傳感器

• MSP430FR2533：15KB 程序 FRAM + 512B 信息 FRAM + 2KB RAM
  多達(dá) 16 個(gè)自電容式傳感器和 16 個(gè)互電容式傳感器

• MSP430FR2632：8KB 程序 FRAM + 512B 信息 FRAM + 2KB RAM
  多達(dá) 8 個(gè)自電容式傳感器和 16 個(gè)互電容式傳感器

• MSP430FR2532：8KB 程序 FRAM + 512B 信息 FRAM + 1KB RAM
  多達(dá) 8 個(gè)自電容式傳感器和 8 個(gè)互電容式傳感器

• 封裝選項(xiàng)

• 32 引腳：超薄型四方扁平無(wú)引線 (VQFN) 封裝 (RHB)

• 32 引腳：薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封裝 (DA)

• 24 引腳：(VQFN) 封裝 (RGE)

• 24 引腳：DSBGA (YQW)