
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
自動(dòng)?xùn)艠O電壓調(diào)整(無(wú)需校準(zhǔn))
電源電壓: 4V至12V
數(shù)字電壓: 3.3V至5V
為增強(qiáng)型或耗盡型器件提供合適的偏置
可調(diào)漏極電流最高可達(dá)200 mA
吸/源柵極電流能力
16引腳3 x 3 mm SMT封裝: 9 mm2
產(chǎn)品詳情
HMC981LP3E是一款有源偏置控制器,可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓,從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 它可用于為A級(jí)區(qū)(漏極電壓為4V至12V,漏極電流最大為200mA)的增強(qiáng)和耗盡型放大器提供合適的偏置,提供了完整的偏置解決方案。
HMC981LP3E實(shí)現(xiàn)了出色的電壓、溫度、工藝偏置穩(wěn)定性,避免了由此引起的射頻性能下降通常所需的校準(zhǔn)過(guò)程。
HMC981LP3E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的3x3 mm QFN無(wú)引腳封裝,并且背面集成裸露焊盤(pán)以改善散熱特性。
應(yīng)用
微波無(wú)線電和VSAT
軍事和太空
測(cè)試儀器儀表
光纖調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器偏置
CATV激光驅(qū)動(dòng)器偏置
HMC713LP3E對(duì)數(shù)檢波器/控制器非常適合將RF信號(hào)(50 MHz至8000 MHz頻率范圍內(nèi))的功率在輸出端轉(zhuǎn)換為與輸入功率成正比的直流電壓。
該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz,提供19.5 dB的小信號(hào)增益,1.8 dB的噪聲系數(shù),28 dBm的輸出IP3,采用3.5 V電源時(shí)功耗僅為80 mA。
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之間的高效GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC功率放大器。
HMC506LP4和HMC506LP4E是集成諧振器、負(fù)阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器的GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC VCO。
HMC575LP4和HMC575LP4E是x2個(gè)有源寬帶倍頻器,采用無(wú)引線RoHS兼容SMT封裝中的GaAs PHEMT技術(shù)。當(dāng)由3dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),乘法器提供從6到9GHz的+17dBm典型輸出功率。Fo和3Fo隔離相對(duì)于輸出信號(hào)電平為15dBc。
HMC700LP4(E)相位頻率檢測(cè)器(PFD)采用循環(huán)滑移防止(CSP)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)更快的跳頻時(shí)間。
HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該放大器具有5至18 GHz的工作范圍,提供18 dB增益、+21 dBm飽和功率和18% PAE(+5V單電源)。
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu),該VCO的相位噪聲性能在不同的溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。
HMC213B | HMC596 | HMC448-Die | HMC510 |
HMC516LC5 | HMC7441 | HMC744 | HMC7911 |
HMC630 | HMC940 | HMC424ALH5 | HMC525ALC4 |
HMC733 | HMC1105 | HMC346AMS8GE | HMC506 |
HMC-ABH241 | HMC313 | HMC913LC4B | HMC1161 |