
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
低噪聲系數(shù):1.7 dB(典型值,6 GHz至16 GHz時)
高增益:18 dB(典型值,16 GHz至17 GHz時)
針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率:14.5 dBm(典型值,6 GHz至16 GHz時)
單電源電壓:3.5 V(典型值,80 mA)
輸出三階交調(diào)截點(IP3):25 dBm(典型值)
50 ?匹配輸入/輸出
具有自偏置,提供可選偏置控制來降低IDQ
16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
產(chǎn)品詳情
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA),提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz,提供18.5 dB的小信號增益,1.7 dB的噪聲系數(shù)(在6 GHz至16 GHz頻段范圍內(nèi)),25 dBm的輸出IP3(全頻段6 GHz至17 GHz),采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。
14.5 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動器。HMC903LP3E還具有隔直輸入和輸出,內(nèi)部匹配至50 Ω,因而非常適合高容量微波無線電和視頻衛(wèi)星(VSAT)應(yīng)用。
應(yīng)用
點對點無線電
點對多點無線電
軍事與太空
測試儀器儀表
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu),該VCO的相位噪聲性能在不同的溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。
HMC759LP3E是一款7位BiCMOS數(shù)字衰減器,采用低成本無引腳SMT封裝。 這款多功能數(shù)字衰減器采用針對接近直流操作的片外交流接地電容,適合各種RF和IF應(yīng)用。 控制接口兼容CMOS/TTL
...展,新發(fā)布了一款具有54 dB動態(tài)量程的毫米波對數(shù)檢波器HMC948LP3E,其工作帶寬為1~23GHz,非常適合于寬帶測試測量、點對點微波通信、小型衛(wèi)星地面站(VSAT)、接收端信號強度顯示、寬帶功率監(jiān)控應(yīng)用等。
HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用符合RoHS標(biāo)準的無引腳SMT封裝。 該放大器具有5至18 GHz的工作范圍,提供18 dB增益、+21 dBm飽和功率和18% PAE(+5V單電源)。
Hittite公司推出的HMC902和MC903,HMC902LP3E和HMC903LP3E四款MMIC低噪聲放大器,覆蓋頻率從5到 18GHz,適用于汽車電子、寬帶、微波、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。
及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O,該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應(yīng)用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標(biāo)準的封裝,無需線焊,可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級聯(lián)50 Ohm
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為24至36 GHz,采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成,采用3 V
HMC6505A | HMC-ALH244 | HV57009 | HMC-C034 |
HMC-C071 | HMC521A | HV7321 | HMC241AQS16 |
HT0440 | HMC571LC5 | HV830 | HMC958 |
HMC733 | HMC-ALH369 | HMC344A | HMC7229-DIE |
HCPL0611 | HMC416 | HMC-APH608 | HMC346ALP3E |