
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
增益: 22 dB
P1dB: +23 dBm
輸出IP3: +31 dBm
飽和功率: 24 dBm (23% PAE)
電源電壓: +5 V (180 mA)
50 Ω匹配輸入/輸出
裸片尺寸: 2.07 x 0.97 x 0.10 mm
產(chǎn)品詳情
HMC634是一款GaAs MMIC PHEMT驅(qū)動(dòng)放大器裸片,工作頻率范圍為5至20 GHz。 該放大器提供高達(dá)22 dB的增益,+31 dBm輸出IP3及高達(dá)+23 dBm的輸出功率(1 dB增益壓縮時(shí)),功耗為180 mA(+5V電源)。 HMC634驅(qū)動(dòng)放大器非常適合工作頻率范圍為5至20 GHz的微波無(wú)線電應(yīng)用,電壓可偏置為+5V (130 mA),以提供2 dB較低增益并改善PAE。 隔直HMC634放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω,方便輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數(shù)據(jù)均利用芯片獲取,其通過(guò)長(zhǎng)度至少為0.31 mm (12 mils)的一條1 mil線焊連接輸入和輸出RF端口。 Applications
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無(wú)線電和VSAT
混頻器用LO驅(qū)動(dòng)器
軍事和太空
MOSAID Technologies今天宣布,他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片,讓他們和諧地運(yùn)行在了一個(gè)高性能通道內(nèi)。
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒,不僅可以使用更少的芯片打造大容量?jī)?nèi)存條,還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
Multi-Die系統(tǒng)的基礎(chǔ)構(gòu)建,亦是如此,全部都需要細(xì)致入微的架構(gòu)規(guī)劃。 對(duì)于復(fù)雜的Multi-Die系統(tǒng)而言,從最初就將架構(gòu)設(shè)計(jì)得盡可能正確尤為關(guān)鍵。 Multi-Die系統(tǒng)的出現(xiàn),是為了應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)模增加和系統(tǒng)復(fù)雜性給摩爾定律有效性帶來(lái)的挑戰(zhàn)。Mult
第一款即將于今年秋天推出的VR體驗(yàn)是基于《無(wú)敵破壞王2:大鬧互聯(lián)網(wǎng)》改編而成,被命名為“Ralph Breaks VR”。而第二款體驗(yàn)則是根據(jù)一部即將在2019年上映的尚未公開(kāi)的漫威電影改編,目前還未公布確切信息。漫威將于2019年推...
三月份首次公開(kāi)展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個(gè)開(kāi)始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
SFH6315T SFH6316T SFH6343T開(kāi)關(guān)測(cè)試電路及波形電路圖
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤(pán)我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術(shù),Intel的單Die升級(jí)到了512Gb,不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會(huì)CES 2018上才知曉。
SFH6345抗共模瞬變干擾及波形電路圖
HMC547ALP3E | HMC683 | HMC653-Die | HMC649A |
HMC726 | HMC534 | HMC-C047 | HMC980LP4E |
HMC-MDB171 | HV9910B | HMC717A | HMC321 |
HMC305S | H11B1M | HMC733 | HMC472A |
HMC441-Die | HMC594-Die | HMC539A | HMC981-Die |