HMC311LP3

制造商：ADI/AD

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• HMC455LP3功率放大器

  HMC455LP3(E)是一款高輸出的IP3 GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT)、1?2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的頻率下工作。 該放大器僅使用最小數(shù)量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE為56%時提供+28 dBm的飽和功率，使用單個+5 Vdc電壓電源。...

  2022-04-20
• HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術手冊

  及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O，該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標準的封裝，無需線焊，可以使用高容量表貼制造技術。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。

  2025-03-20
• HMC376 0.7-1.0GHz低噪聲放大器SMT技術手冊

  HMC376LP3和HMC376LP3E為GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收機，工作頻率范圍為700至1000 MHz。 該放大器經過優(yōu)化，在+5V

  2025-03-20
• HMC311ST89 InGaP HBT增益模塊放大器技術手冊

  Ohm增益級或用于驅動輸出功率高達+16.5 dBm的HMC混頻器LO。 HMC311ST89(E)提供16 dB的增益，+31.5 dBm的輸出IP3，同時僅需+5V電源提供54 mA電流。 所用的達林頓反饋對可降低對正常工藝變化的敏感度，提供出色的溫度增益穩(wěn)定性，只需極少的外部偏置元件。

  2025-03-19
• 高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器——HMC451LP3(E)

  HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該放大器具有5至18 GHz的工作范圍，提供18 dB增益、+21 dBm飽和功率和18% PAE（+5V單電源）。

  2023-04-14
• HMC311SC70 InGaP HBT增益模塊放大器技術手冊

  Ohm增益級或用于驅動輸出功率高達+15 dBm的HMC混頻器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的輸出IP3，同時僅需+5V電源提供54 mA電流。 達林頓拓撲結構可降低對正常工藝變化的敏感度，提供出色的溫度增益穩(wěn)定性，只需極少的外部偏置元件。

  2025-03-19
• HMC311LP3 InGaP HBT增益模塊MMIC放大器技術手冊

  HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器，工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級聯(lián)50 Ohm

  2025-03-19
• HMC263LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，24-36GHz技術手冊

  HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V

  2025-03-19

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