
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
0.5 dB LSB步進(jìn)至31.5 dB
每位單個控制線路
比特誤差:±0.5 dB(典型值)
裸片尺寸: 1.45 x 0.85 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC424A裸片是一款寬帶6位GaAs IC數(shù)字衰減器MMIC芯片。 工作頻率范圍為DC到13 GHz,插入損耗低于4 dB典型值。 衰減器位值為0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB,總衰減為31.5 dB。 衰減精度非常高,典型步長誤差為± 0.5 dB,IIP3為+42 dBm。 六個控制電壓輸入,在0和-5V之間切換,用于選擇每個衰減狀態(tài)。 單個Vee偏置為-5V,允許在低至DC的頻率下運行。
應(yīng)用
光纖和寬帶通信
微波無線電和VSAT
軍用無線電、雷達(dá)和ECM
航天應(yīng)用
HMC424A-DIE電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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HMC424A-SX | - | - | 立即購買 |
HMC424A | - | - | 立即購買 |
Wafer、die、chip是半導(dǎo)體領(lǐng)域常見的術(shù)語,但是為什么單顆裸芯會被稱為die呢?
芯礪智能近日宣布,其全自研的Chiplet Die-to-Die互連IP(CL-Link)芯片一次性流片成功并順利點亮。這一重大突破標(biāo)志著芯礪智能在異構(gòu)集成芯片領(lǐng)域取得了領(lǐng)先地位,為人工智能時代的算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供了更加多元靈活的互連解決方案。
DDR4的單、雙DIE兼容仿真案例
HMC930A是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)分布式功率放大器,工作頻率范圍為DC至40 GHz。 HMC930A提供13 dB增益、33.5
HMC906ACHIPS 是一款四級 GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器,工作頻段介于 27.3 和 33.5 GHz 之間。HMC906A 采用 +6V 電源,可以提供 28 dB
,我們估計需要6000到8000個A100 GPU歷時長達(dá)一個月才能完成訓(xùn)練任務(wù)。”不斷提高的HPC和AI計算性能要求正在推動Multi-Die設(shè)計的部署,將多個異構(gòu)或同構(gòu)裸片集成到一個標(biāo)準(zhǔn)或高級封裝中
HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數(shù)字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC),以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。
HMC424ALH5是一款寬帶6位GaAs MMIC數(shù)字衰減器,采用密封型SMT無引腳封裝。工作頻率范圍DC到13 GHz,插入損耗低于3.5 dB典型值。衰減器位值為0.5 (LSB)、1、2、4
HMC529 | HMC390 | HV5522 | HMC451-Die |
HCPL2630 | HMC-ALH216 | HMC586 | HMC962 |
HMC565LC5 | HMC7282B | HV513 | HMC907APM5E |
HMC930A-DIE | HMC751 | HMC983 | HMC-APH462 |
HMC833 | HMC8401-DIE | HMC-C058 | H11B1M |