
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
增益: 22 dB
飽和輸出功率:+22 dBm (24% PAE)
輸出IP3: +30 dBm
單正電源: +5V (127 mA)
50 Ω匹配輸入/輸出
小尺寸: 1.35 x 1.35 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC451是一款通用型GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為5至20 GHz。 該放大器提供22 dB增益,飽和功率為+22 dBm,電源電壓為+5V (24% PAE)。 在整個(gè)工作頻帶內(nèi)具有一致的增益和輸出功率,因而可以在多個(gè)無(wú)線電頻段使用一個(gè)通用的驅(qū)動(dòng)器/LO放大器。
由于尺寸較小(1.82mm2)、采用單電源工作和隔直I/O,HMC451放大器可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數(shù)據(jù)均采用50 ?測(cè)試夾具中的芯片測(cè)得,該夾具通過(guò)直徑為0.025mm (1 mil)、最小長(zhǎng)度<0.31mm (<12 mils)的焊線連接。
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無(wú)線電和VSAT
測(cè)試設(shè)備和傳感器
HMC混頻器LO驅(qū)動(dòng)器
軍事和太空
Multi-Die設(shè)計(jì)是一種在單個(gè)封裝中集成多個(gè)異構(gòu)或同構(gòu)裸片的方法,雖然這種方法日益流行,有助于解決與芯片制造和良率相關(guān)的問(wèn)題,但也帶來(lái)了一系列亟待攻克的復(fù)雜性和變數(shù)。尤其是,開發(fā)者必須努力確保
是什么推動(dòng)了Multi-Die系統(tǒng)的發(fā)展?由于AI、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛汽車等應(yīng)用的高速發(fā)展,單片片上系統(tǒng)(SoC)已經(jīng)不足以滿足人們對(duì)芯片的需求了。Multi-Die系統(tǒng)是在單個(gè)封裝中集
作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
簡(jiǎn)介 半導(dǎo)體行業(yè)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是無(wú)法在量產(chǎn)階段早期發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品缺陷。如果將有缺陷的產(chǎn)品投放市場(chǎng),將會(huì)給企業(yè)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟(jì)和聲譽(yù)損失。對(duì)超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和 AI 應(yīng)用的高性能計(jì)算片上系統(tǒng) (SoC) 的設(shè)計(jì)開發(fā)者...
三星B-Die DDR4內(nèi)存顆??胺Q一段行業(yè)傳奇,無(wú)論廠商還是高端玩家、發(fā)燒友都非常喜歡它,其出色的性能和超頻性備受青睞,幾乎成了高端內(nèi)存條的標(biāo)配。
AMD不久前剛剛發(fā)布了代號(hào)Rome(羅馬)第二代EPYC霄龍?zhí)幚砥?,擁?nm工藝和Zen 2架構(gòu),而且采用了chiplet小芯片設(shè)計(jì),集成最多八個(gè)CPU Die和一個(gè)IO Die設(shè)計(jì)非常獨(dú)特。
可能你偶爾會(huì)聽見硬件工程師,或者芯片設(shè)計(jì)工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說(shuō)的wafer、die、cell等。
2D芯片設(shè)計(jì)中通常為二階或三階的效應(yīng),在Multi-Die系統(tǒng)中升級(jí)為主要效應(yīng)。
HMC657LP2 | HMC247 | HMC429 | HMC-C038 |
HMC571-Die | HV9925 | HMC536MS8G | HMC953 |
HMC591-Die | HMC795 | HV7801 | HMC349ALP4CE |
HMC3716 | HMC829 | HMC-AUH317 | HMC744 |
HMC6146B | HMC920 | HMC832A | HMC629A |