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    首頁產(chǎn)品索引HMC399

    HMC399

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    高IP3混頻器,采用SMT封裝,0.7 - 1.0 GHz

     

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    優(yōu)勢和特點

      輸入IP3: +35 dBm

      轉(zhuǎn)換損耗: 8.5 dB

      外部器件數(shù)量少

      超小型MSOP8封裝: 14.8 mm2

    產(chǎn)品詳情

    HMC399MS8(E)是一款高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器,采用8引腳超小型塑料表貼封裝(MSOP),頻率范圍為700至1,000 MHz。 LO驅(qū)動為+17dBm時,基于2.5G和3G GSM/CDMA的蜂窩應(yīng)用具有+35 dBm的出色輸入IP3下變頻性能和+32 dBm 的上變頻性能。 采用1dB (+23 dBm)壓縮時,RF端口支持各種輸入信號電平。 轉(zhuǎn)換損耗為8.5dB(典型值),且LO隔離保持在23至35 dB。

    該小型單端單芯片GaAs FET混頻器僅需一個外部電感以優(yōu)化LO頻率響應(yīng)。 50至250 MHz IF頻率響應(yīng)可滿足許多蜂窩發(fā)射或接收頻率計劃。 HMC399MS8(E)輸入IP3性能及其高P1dB可與傳統(tǒng)有源FET混頻器相匹敵,同時提供較小的14.8mm2標準IC尺寸,且無需直流偏置器件。

    應(yīng)用

      GSM、GPRS和EDGE

      CDMA和W-CDMA

      電纜調(diào)制解調(diào)器終端系統(tǒng)

    電路圖、引腳圖和封裝圖

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    型號制造商描述購買
    HMC399MS8ETRKnowles貼片電容(MLCC) 2225 2.7nF ±5% 1.5KV X7R 立即購買
    HMC399MS8EAOSMOSFET N-CH 60V 11A TO263 立即購買

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