
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢和特點
低插入損耗: 2 dB
高隔離度: 30 dB
隔直RF I/O
集成直流偏置電路
裸片尺寸: 2.01 x 0.975 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC-SDD112是一款基于GaAs PIN二極管的單芯片單刀雙擲(SPDT)MMIC 開關(guān),具有低插入損耗和高隔離特性。 這款全分流式MMIC SPDT集成片上直流模塊和直流偏置電壓耦合電路。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化,PIN二極管器件已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。
HMC-SDD112 GaAs PIN SPDT可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
應(yīng)用
FCC E波段通信系統(tǒng)
短程/高容量無線電
汽車雷達
測試和測量設(shè)備
衛(wèi)星通信
傳感器
HMC-SDD112電路圖
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
HMC-SDD112-SX | - | - | 立即購買 |
HMC-SDD112 | - | - | 立即購買 |
聯(lián)華電子宣佈,推出新一代80奈米小尺寸螢?zāi)或?qū)動晶片(SDDI)製程,此製程特色在于具備了晶圓專工業(yè)界最富競爭力的SRAM儲存單元。
聯(lián)華電子宣佈,推出新一代80納米小尺寸螢?zāi)或?qū)動芯片(SDDI)制程,此制程特色在于具備了晶圓專工業(yè)界最富競爭力的SRAM儲存單元。此低耗電的尖端SRAM解決方案採用了先進的設(shè)計規(guī)則
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本文開始對HMC5883L進行了介紹,其中包括了HMC5883L的主要技術(shù)參數(shù)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域及尺寸說明,然后闡述了hmc5883l三軸電子羅盤傳感器連接arduino的方法及程序說明。
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