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    首頁產(chǎn)品索引FDC6327C

    FDC6327C

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    ?雙N和P溝道2.5V額定PowerTrench? MOSFET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    這些N和P溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench工藝生產(chǎn),這一先進工藝是專為最大程度地降低導(dǎo)通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件經(jīng)過專門設(shè)計,能在極小的空間內(nèi)實現(xiàn)優(yōu)異的功率耗散,非常適合那些不宜采用更大更昂貴的SO-8和TSSOP-8封裝的應(yīng)用。
    • N溝道2.7A,20V。 R
    • = 0.08Ω @ V
    • = 4.5V,R
    • = 0.12Ω @ V
    • = 2.5V P溝道-1.6A,-20V。R
    • = 0.17Ω @V
    • = -4.5V,R
    • = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
    • 開關(guān)速度快。
    • 低柵極電荷。
    • 高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的R
    • SuperSOT? -6封裝: 小尺寸(比標(biāo)準(zhǔn)SO-8小72%);薄型(1mm厚)。

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    FDC6327C-F169-- 立即購買
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    技術(shù)資料

    標(biāo)題類型大?。↘B)下載
    TSOT23, 6-Lead, 2.9x1.6PDF59 點擊下載
    Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETPDF278 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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