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    首頁產(chǎn)品索引FDG6303N

    FDG6303N

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    ?雙N溝道數(shù)字FET

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊

    產(chǎn)品信息

    這些雙N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用飛兆半導體專有的高電池密度DMOS技術生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計,以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。
    • 25V、0.50A(連續(xù)值)、1.5A(峰值)。
    • R
    • = 0.45 Ω @ V
    • = 4.5 V,
    • R
    • = 0.60 Ω @ V
    • = 2.7 V。
    • 電平柵極驅動要求極低,從而可在3V電路中直接運行(V
    • < 1.5 V)。
    • 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力(>6kV人體模型)。
    • 緊湊的工業(yè)標準SC70-6表面貼裝封裝。

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    FDG6303N-F169-- 立即購買
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    技術資料

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    SC-88 (SC-70 6 Lead), 1.25x2PDF58 點擊下載
    Dual N-Channel, Digital FETPDF493 點擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點擊下載

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    FSBB20CH120DFFYD0504SAFPF1321FOD2743B
    FFSH15120ADNFAN4860FSV12100VFSA2258
    FSL126MRTFSV10100VFPF2106FNB40560
    FDMS003N08CFSUSB42FAN7171_F085FSV10120V
    FAN3224TU_F085FDMF2011FCD260N65S3FDMF5823DC
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