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特點
?高電容已經(jīng)通過精密實現(xiàn)技術，使用多個薄的陶瓷介電層。
?單片結構保證了優(yōu)異的機械強度和可靠性。
?高精度的自動安裝是通過促進維護的非常精確的尺寸公差。
?由只有陶瓷和金屬，這些電容提供了極其可靠的性能，當經(jīng)受表現(xiàn)出幾乎沒有降解，甚至溫度過高或過低。
?低雜散電容確保了高符合標稱值，從而簡化了電路設計流程。
?低殘留電感，保證了優(yōu)異的頻率的特點。
?由于靜電容量已獲得最多電解電容的范圍，這些電容提供使用壽命長，并能很好地適應于電源需要高度的可靠性的設計。
?由于它們的低ESR和優(yōu)良的頻率特征，這些產(chǎn)品是最適合于高頻率和高密度型電源。
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制
貼片電容X5R材質和X7R材質在多個方面存在顯著的不同。 1、容量和介質損耗：X7R材質的電容器具有較高的容量和較低的介質損耗，這使得它在需要大容量和高穩(wěn)定性的應用中表現(xiàn)優(yōu)異。而X5R材質的電容器
= 1; SCL = 1; SDA = 0; SCL = 0; }void x24c02_stop(){SDA=0;SCL=1;SDA=1;}void x24c02_writex(char j){char i,temp;temp=j;for (i=0;i
IN722代換替換型號2cw7m 2cw20c 彩電電源穩(wěn)
Anaren的X4C55J1-03G是款超薄型、高性能3dB混合耦合器，選用一款非常容易使用、非常容易生產(chǎn)制造的新式表面安裝封裝形式。X4C55J1-03G致力于5G技術應用而設
約10年變化1%ΔC，每隔10年變化約5%。X7R電容器主要用于要求低的工業(yè)用途，在電壓變化時容量可以變化的條件下使用。 其主要特征是體積相同，容量大。 貼片電容X7R的常見封裝尺寸包括多種，這些尺寸的選擇通常取決于電路板的空間和電流需求。以下是一些常
順絡電容 C1206X5R1E226K 的選型需圍繞 封裝尺寸、容量精度、耐壓能力、溫度特性、應用場景適配性 五大核心要點展開。
| CSD17573Q5B | CAT6219 | CAT5261 | CAT3649 |
| CS5173 | CSD85302L | C1608C0G1H102J | CC3100 |
| CM1216 | C1206C105K5RACTU | CM1224 | CAT4237 |
| CAV24C128 | CDCE62005 | CESD5V0AP | CAT24M01 |
| CAT853 | CAT34C02 | CM1263-06DE | C8051F394-A-GM |
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