CSD85302L

制造商：TI

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• L1+L5雙頻定位模塊選型指導(dǎo)_SKYLAB選型建議

  5-10米，3-5米的室外定位精度已經(jīng)不能滿足時(shí)下物聯(lián)網(wǎng)高精度定位需求，于是，市場上衍生了多款定位精度在1米左右的L1+L5雙頻定位模塊，可為行業(yè)客戶提供的導(dǎo)航、定位、授時(shí)等功能。由于L1+L5雙頻定位模塊型號(hào)過多，需要一份淺顯易懂的選型指導(dǎo)。

  2023-02-22
• 瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（38）寄存器&復(fù)位&開解鎖

  讀取CID/CSD寄存器 類似SD存儲(chǔ)卡協(xié)議(其中寄存器內(nèi)容作為命令響應(yīng)發(fā)送)。在SPI模式下讀取CSD和CID寄存器的內(nèi)容是一個(gè)簡單的讀塊事務(wù)。該卡將響應(yīng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的響應(yīng)令牌，后跟一個(gè)16字節(jié)的數(shù)據(jù)

  2024-10-10
• CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

  這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道

  2025-04-16
• CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

  這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET

  2025-04-16
• CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

  這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道

  2025-04-16
• CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

  這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET

  2025-04-16
• CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

  這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率

  2025-04-16
• CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊(cè)

  CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)量。

  2025-04-16

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