AT45DB161E-MHD-T

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T電路圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 引腳圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

• 

  AT45DB161E-MHD-T 封裝圖

應(yīng)用案例更多案例

• 什么是dB？dB為什么如此重要？

  在我們的工作中，經(jīng)常會用到“dB”這個單位。比如插損，回波損耗，功率，我們經(jīng)常會用xx dB，或者xx dBm 來描述。

  2023-02-06
• 采用W77E58和AT45DB161B實(shí)現(xiàn)行駛記錄儀的設(shè)計

  因此，該Dataflash存儲容量大，讀寫速度快，抗干擾能力強(qiáng)，在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來存儲數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計方案。

  2021-04-02
• HMC1019ALP4E 0.5 dB LSB GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器，0.1-

  為0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰減精度非常高，典型步長誤差為±0.3 dB，IIP3為+45 dBm。控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三線式串行輸入。HMC1019ALP4E具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口，可級聯(lián)其他ADI控制組件。

  2025-05-02
• HMC941ALP4E 0.5 dB LSB GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器，0.1-3

  HMC941ALP4E是一款寬帶5位GaAs IC數(shù)字衰減器，采用低成本無引腳表貼封裝。在0.1到33.0 GHz頻率下運(yùn)行，插入損耗低于4 dB典型值。對于15.5 dB的總衰減，衰減器位值為

  2025-04-24
• HMC241ALP3E GaAs、非反射式、SP4T開關(guān)，100MHz至4GHz技術(shù)手冊

  HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關(guān)提供43 dB（典型值）的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內(nèi)端接隔離端口。

  2025-03-06
• RMHD與SAFR，雙引擎驅(qū)動RealNetworks業(yè)務(wù)發(fā)展

  ...品和技術(shù)線，已經(jīng)連續(xù)25年不斷演進(jìn)，持續(xù)創(chuàng)新。如今，RMHD為大眾的娛樂生活帶來

  2019-08-27
• E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

  E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

  2025-04-04
• AT45DB081B在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

  AT45DB081B在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 在信號采集系統(tǒng)中,往往需要對多種數(shù)據(jù)波形進(jìn)行存儲、轉(zhuǎn)移或比較,這就要求系統(tǒng)能方便地訪問、傳輸波形數(shù)據(jù)。FL

  2009-10-17

系列產(chǎn)品索引查看所有產(chǎn)品