
特點(diǎn):
單2.7V - 3.6V電源
串行接口架構(gòu)
頁編程操作
- 單周期重新編程(擦除和編程)
- 1024頁( 264字節(jié)/頁)主內(nèi)存
兩個(gè)264字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū) - 允許接收數(shù)據(jù)
而非易失性存儲(chǔ)器的重新編程
內(nèi)部的計(jì)劃和控制的定時(shí)器
快速頁編程時(shí)間 - 7毫秒典型
120μ?典型的頁面,以緩沖傳輸時(shí)間
低功耗
- 4毫安有效的讀電流典型
– 5μ一種CMOS待機(jī)電流典型
5 MHz的最大時(shí)鐘頻率
硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能
串行外設(shè)接口( SPI )兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容輸入和輸出
商用和工業(yè)溫度范圍
描述:
該AT45DB021是一個(gè)只有2.7伏,串行接口閃存適合于-系
TEM重新編程。其2162688位存儲(chǔ)器組織為1024頁
264字節(jié)每個(gè)。除了在主存儲(chǔ)器中, AT45DB021還包含兩個(gè)
每264字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。該緩沖器允許接收而數(shù)據(jù)
在主存儲(chǔ)器頁面進(jìn)行重新編程。不同于傳統(tǒng)的閃存memo-
被訪問隨機(jī)與多個(gè)地址線和并行接口里斯,
該數(shù)據(jù)閃存采用串行接口以順序存取其數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的串行
接口方便了硬件的布局,提高了系統(tǒng)的可靠性,減少了切換
AT45DB021 引腳圖
AT45DB021 引腳圖
AT45DB021 引腳圖
AT45DB021 封裝圖
AT45DB021 封裝圖
AT45DB021 封裝圖
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MYS-SAM9G45是米爾科技最新推出的一款基于ATMEL AT91SAM9G45 ARM9高性能(400MHZ)處理器設(shè)計(jì)的全功能單板機(jī)。
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AD8345 | AD9257 | AD5682R | ADG528F |
AD876 | ADS7852 | ADSP-BF524C | ADM3101E |
ARX550AT | ADC161S626 | AD9203 | ADG852 |
ADS8588S | AD8111 | ADL5380 | ADR525 |
adum4402 | A1104EUA-T | ADL5545 | ADUM5240 |