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    首頁產(chǎn)品索引AT45DB021

    AT45DB021

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    2兆位2.7伏,只有串行數(shù)據(jù)閃存。

     

    產(chǎn)品信息

      特點(diǎn):

      單2.7V - 3.6V電源

      串行接口架構(gòu)

      頁編程操作

      - 單周期重新編程(擦除和編程)

      - 1024頁( 264字節(jié)/頁)主內(nèi)存

      兩個(gè)264字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū) - 允許接收數(shù)據(jù)

      而非易失性存儲(chǔ)器的重新編程

      內(nèi)部的計(jì)劃和控制的定時(shí)器

      快速頁編程時(shí)間 - 7毫秒典型

      120μ?典型的頁面,以緩沖傳輸時(shí)間

      低功耗

      - 4毫安有效的讀電流典型

      – 5μ一種CMOS待機(jī)電流典型

      5 MHz的最大時(shí)鐘頻率

      硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能

      串行外設(shè)接口( SPI )兼容 - 模式0和3

      CMOS和TTL兼容輸入和輸出

      商用和工業(yè)溫度范圍

      描述:

      該AT45DB021是一個(gè)只有2.7伏,串行接口閃存適合于-系

      TEM重新編程。其2162688位存儲(chǔ)器組織為1024頁

      264字節(jié)每個(gè)。除了在主存儲(chǔ)器中, AT45DB021還包含兩個(gè)

      每264字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。該緩沖器允許接收而數(shù)據(jù)

      在主存儲(chǔ)器頁面進(jìn)行重新編程。不同于傳統(tǒng)的閃存memo-

      被訪問隨機(jī)與多個(gè)地址線和并行接口里斯,

      該數(shù)據(jù)閃存采用串行接口以順序存取其數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的串行

      接口方便了硬件的布局,提高了系統(tǒng)的可靠性,減少了切換


    電路圖、引腳圖和封裝圖

    應(yīng)用案例更多案例

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