
描述:
該AT28C256是一個(gè)高性能的電可擦可編程只讀只有記憶。它的內(nèi)存256K是由8位, 32,768字。制造
捕獲的原始圖像與Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù),該器件提供接入倍至150 ns的只有440毫瓦的功耗。當(dāng)設(shè)備被取消,在CMOS待機(jī)電流小于200微安。
該AT28C256是一樣的讀或?qū)懼芷谥械撵o態(tài)RAM ,而不訪問需要的外部元件。
該器件包含一個(gè)64字節(jié)頁(yè)寄存器允許同時(shí)寫入的最多64個(gè)字節(jié)。在寫周期中,地址和1?64個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)被內(nèi)部地鎖存,從而釋放地址和數(shù)據(jù)總線,用于其他操作。下面的寫周期開始時(shí),設(shè)備會(huì)自動(dòng)寫入使用一個(gè)內(nèi)部的定時(shí)器控制的鎖存數(shù)據(jù)。在寫入周期結(jié)束時(shí)可通過I / O7數(shù)據(jù)輪詢檢測(cè)。一旦寫周期結(jié)束時(shí)已經(jīng)檢測(cè)到一個(gè)用于讀出或?qū)懭胄碌脑L問可以開始。
Atmel公司的AT28C256具有附加功能,以確保高品質(zhì)和manufacturabil-性。該器件采用延長(zhǎng)續(xù)航能力以及完善的內(nèi)部糾錯(cuò)數(shù)據(jù)保持特性。一個(gè)可選的軟件數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制可防范意外寫操作。該裝置還包括一個(gè)額外的64字節(jié)的EEPROM器件識(shí)別和跟蹤。
特點(diǎn):
?。?)快速讀取訪問時(shí)間 - 150納秒
(2)自動(dòng)頁(yè)寫操作
- 內(nèi)部地址和數(shù)據(jù)鎖存為64字節(jié)
- 內(nèi)部控制定時(shí)器
?。?)快速寫周期時(shí)間
- 頁(yè)寫周期時(shí)間: 3毫秒或10毫秒最大
- 1到64字節(jié)頁(yè)寫操作
低功耗
- 50毫安工作電流
- 200 μA CMOS待機(jī)電流
(4)硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)
?。?)數(shù)據(jù)輪詢寫入檢測(cè)結(jié)束
(6)高可靠性的CMOS技術(shù)
- 數(shù)據(jù)保存:10年
?。?)單5V ±10 %供應(yīng)
?。?)CMOS和TTL兼容輸入和輸出
(9)JEDEC批準(zhǔn)字節(jié)寬引腳
?。?0)充分的軍事和工業(yè)溫度范圍
?。?1)綠色(無鉛/無鹵化物)的包裝選項(xiàng)
AT28C256電路圖
AT28C256 引腳圖
AT28C256 引腳圖
AT28C256 引腳圖
AT28C256 引腳圖
AT28C256 封裝圖
AT28C256 封裝圖
AT28C256 封裝圖
AT28C256 封裝圖
AT28C256 封裝圖
標(biāo)題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
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FM30C256 pdf datasheet (256Kb | RAR | 555 | 點(diǎn)擊下載 |
AS7C256 pdf(5V/3.3V 32K X 8 CMOS SRAM) | RAR | 130 | 點(diǎn)擊下載 |
本應(yīng)用筆記討論如何快速啟動(dòng)DS28E18。然后簡(jiǎn)要介紹一些簡(jiǎn)化的基于DS28E18的系統(tǒng)。它還概述了系統(tǒng)操作流程,并演示了一些帶有 I 的實(shí)際示例2C 和 SPI 溫度傳感器器件。請(qǐng)
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AD9268 | ADT7517 | ADuM121N | ADR127 |
ADS1202IPWT | AT27LV010A | ADuM152N | AD8398A |
AD7291 | AD5541A | ADA4001-2 | AD9516-2 |
ADL5306 | AD594 | ADP1764 | ADV611-ADV612 |
AD7190 | ADS8422 | ADA4092-4 | ADP1753 |