描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降壓轉換器，其配有兩個集成型 MOSFET 以及帶 VTTREF 緩沖參考輸出的 1A 拉/灌電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT 終端穩(wěn)壓器。TPS54116-Q1 降壓穩(wěn)壓器通過集成 MOSFET 和減小電感尺寸來最大限度減小解決方案尺寸，開關頻率最高達 2.5MHz。開關頻率可設置在中波頻段以上以滿足噪聲敏感型 應用 的需求，而且能夠與外部時鐘同步。同步整流使頻率在整個輸出負載范圍內(nèi)保持為固定值。效率通過集成 25m? 低側 MOSFET 和 33mΩ 高側 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值電流限制在過流狀態(tài)下保護器件，并且可通過 ILIM 引腳上的電阻進行調(diào)整，從而針對小尺寸電感進行優(yōu)化。VTT 終端穩(wěn)壓器僅利用 2 × 10μF 的陶瓷輸出電容即可保持快速瞬態(tài)響應，從而減少外部組件數(shù)量。TPS54116-Q1 使用 VTT 進行遠程感測，從而實現(xiàn)最佳的穩(wěn)壓效果。該器件可利用使能引腳進入關斷模式，從而使電源電流降至 1μA。欠壓閉鎖閾值可通過任一使能引腳上的電阻網(wǎng)絡進行設置。VTT 和 VTTREF 輸出被 ENLDO 禁用時會進行放電。該器件具備全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐熱增強型 WQFN 封裝，最大限度地減小了 IC 尺寸。特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結果：器件溫度 1 級：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運行溫度范圍 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 2 器件組件充電模式 (CDM) ESD 分類等級 C6單片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器電源解決方案 4A 同步降壓轉換器集成了 33mΩ 高側和 25mΩ 低側金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 固定頻率電流模式控制 可調(diào)頻率范圍：100kHz 至 2.5MHz 與一個外部時鐘同步 整個溫度范圍內(nèi)的電壓基準為 0.6V ± 1% 可調(diào)逐周期峰值電流限制針對預偏置輸出的單調(diào)性啟動直流精度為 ±20mV 的 1A 拉/灌電流終端低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器與 2 × 10μF 多層陶瓷電容 (MLCC) 電容一起工作時保持穩(wěn)定 10mA 拉/灌電流緩沖參考輸出穩(wěn)定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之間獨立使能引腳，欠壓閉鎖 (UVLO) 和遲滯均可調(diào)熱關斷 運行溫度 (TJ) 范圍：-40°C 至 150°C 24 引腳 4mm x 4mm 超薄四方扁平無引線 (WSON) 封裝應用嵌入式計算系統(tǒng)中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲器電源SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 終端 信息娛樂和儀表板 先進的駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)All trademarks are the property of their respective owners.