描述 TPS50601-SP 是一款抗輻射加固型 6.3V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件通過高效率以及集成高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的方式針對(duì)小型設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。通過電流模式控制減少組件數(shù)量，并通過高開關(guān)頻率縮小電感器封裝尺寸，來進(jìn)一步節(jié)省空間。此器件提供耐熱增強(qiáng)型 20 引腳陶瓷，雙列直插扁平封裝。這些部件僅用于工程評(píng)估。以非合規(guī)性流程對(duì)其進(jìn)行了處理（即未進(jìn)行老化處理等操作）并且僅在 25°C 的額定溫度下進(jìn)行了測(cè)試。這些部件不適用于質(zhì)檢、生產(chǎn)、輻射測(cè)試或飛行。這些零部件無法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 額定溫度范圍內(nèi)或運(yùn)行壽命中保證其性能。要了解所有可用封裝，請(qǐng)參見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 已知的合格芯片采用疊片封裝的裸片 輸出電壓啟動(dòng)斜坡由 SS/TR 引腳控制，可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立電源運(yùn)行，或者跟蹤狀態(tài)下的運(yùn)行。此外，正確配置啟用與開漏電源正常引腳也可實(shí)現(xiàn)電源排序。 高側(cè) FET 的逐周期電流限制可在過載情況下保護(hù)器件，并通過低側(cè)電源限流防止電流失控，從而實(shí)現(xiàn)功能增強(qiáng)。此外，還提供可關(guān)閉低側(cè) MOSFET 的低側(cè)吸收電流限值，以防止過多的反向電流。當(dāng)芯片溫度超過熱關(guān)斷溫度時(shí)，熱關(guān)斷禁用此部件。特性5962R10221：抗輻射加固保障 (RHA) 高達(dá) 100kRAD (Si) 總電離劑量 (TID) 無低劑量率輻射損傷增強(qiáng) (ELDRS) 100 kRAD (Si) – 10mRAD(Si)/s 單粒子鎖定 (SEL) 對(duì)于 線性能量傳輸 (LET) 的抗擾度 = 85MeV-cm2/mg（請(qǐng)參見） 單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 的抗擾度為 85MeV-cm2/mg，提供安全運(yùn)行區(qū)域 (SOA) 曲線（請(qǐng)參見） 提供單粒子瞬變/單粒子功能中斷 (SET/SEFI) 橫截面圖（請(qǐng)參見） 峰值效率：95% (VO = 3.3V) 集成了 55m?/50m? 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 分離電源軌：PVIN 上的電壓為 1.6V 至 6.3V 電源軌：VIN 上的電壓為 3V 至 6.3V 6A 最大輸出電流 靈活的開關(guān)頻率選項(xiàng)：100kHz 至 1MHz 可調(diào)內(nèi)部振蕩器 外部同步功能的頻率范圍：100kHz 至 1MHz 可針對(duì)主/從設(shè)備將同步引腳配置為 500kHz 輸出 應(yīng)用25°C 下的電壓基準(zhǔn)為 0.795V±1.258% 單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出 通過外部電容進(jìn)行調(diào)節(jié)的軟啟動(dòng) 用于電源排序的輸入使能和電源正常輸出 針對(duì)欠壓及過壓的電源良好輸出監(jiān)控 可調(diào)節(jié)輸入欠壓鎖定 (UVLO) 20 引腳耐熱增強(qiáng)型陶瓷扁平封裝 (HKH) 請(qǐng)?jiān)L問 www.ti.com/swift 獲取 SWIFT文檔 請(qǐng)參見工具和軟件 (Tools & Software) 選項(xiàng)卡 應(yīng)用 用于現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、微控制器和專用集成電路 (ASIC) 的太空衛(wèi)星負(fù)載點(diǎn)電源太空衛(wèi)星有效載荷抗輻射 應(yīng)用可用于軍用溫度范圍（-55°C 至 125°C）提供工程評(píng)估 (/EM) 樣品 (1) All trademarks are the property of their respective owners.