TPD2E001-NM

制造商：TI

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應(yīng)用案例更多案例

• 最強(qiáng)A卡剛發(fā)布 NV就出大招：80GB HBM2e、性能提升200%

  ...A100 80GB加速卡。雖然AMD把性能奪回去了，但是A100 80GB的HBM2e顯存也是史無前例了。 NVIDIA今年3月份發(fā)布了安培架構(gòu)的A100加速卡（名字中沒有Tesla了），升級了7nm工藝和Ampere安培架構(gòu)，集成542億晶體管，826mm2核心面積，使用了40GB HBM...

  2020-11-17
• AMD剛剛發(fā)布7nm CDNA架構(gòu)的MI100加速卡

  今晚AMD剛剛發(fā)布了7nm CDNA架構(gòu)的MI100加速卡，NVIDIA這邊就推出了A100 80GB加速卡。雖然AMD把性能奪回去了，但是A100 80GB的HBM2e顯存也是史無前例了。

  2020-11-17
• Intel或?qū)⑼瞥龃钶d0nm++工藝及多芯封裝、HBM2E顯存的高端顯卡

  在說Arctic Sound顯卡之前,我們先縷縷Intel已經(jīng)曝光的GPU,它們都會使用全新的Xe架構(gòu),但型號、定位不同。

  2020-02-05
• 東大金智科技10GBASE-ER| 40km|1550nm| SFP+ | FTLX1672D3BCL特征

  ...合XFP MSA標(biāo)準(zhǔn) 　　符合IEEE 802.3ae標(biāo)準(zhǔn) 　　符合OTN OTU2e 　　符合10G光纖通道 　　符合SONET OC-192和SDH STM-64 　　單通道全雙工收發(fā)器模塊 　　支持10Gb / s數(shù)據(jù)速率 　　雙LC插座 　　內(nèi)置數(shù)字診斷功能 　　單3.3V...

  2019-11-03
• 三星新發(fā)布HBM2E存儲芯片，其代號Flashbolt

  三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。

  2020-02-06
• 雷卯LC0542T5與ULC0542T對比,應(yīng)用推薦，可替代替代TI TPD2E001DRLR

  0.7pF，三路單向，保護(hù)Vbus，用于USB2.0保護(hù)?？商娲鶷I型號TPD2E001DRLR。2.ULC0542T，小體積封裝DFN1610-6，工作電壓5V，VES

  2022-01-07
• 2nm芯片的優(yōu)勢是什么

  業(yè)界對IBM制造出2nm芯片表現(xiàn)出極大興趣，很大程度在于2nm芯片意味著芯片性能的極大提升。

  2022-06-27
• 4525-DS5A001DP差壓傳感器怎么測量空速

  4525-DS5A001DP差壓傳感器測量空速通常涉及復(fù)雜的儀器和校準(zhǔn)過程。一般來說，4525-DS5A001DP差壓傳感器用于測量兩個點(diǎn)之間的壓力差，這種壓力差與空速之間存在某種關(guān)系。

  2024-03-14

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