
Dual center tap Schottky rectifiers suited for high frequency switch mode power supply.
Packaged in TO-247, this devices is intended for use to enhance the reliability of the application.
適用于高頻開關(guān)電源的雙中心抽頭肖特基整流器。
封裝TO-247,這個(gè)裝置是用以提高應(yīng)用程序的可靠性。
HIGH JUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY
LOW LEAKAGE CURRENT
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP
LOW THERMAL RESISTANCE
HIGH FREQUENCY OPERATION
主要特點(diǎn)
高結(jié)溫性能
低漏電流
漏電流和正向壓降之間的良好折衷
低熱阻
高頻運(yùn)行
STPS61150C電路圖
STPS61150C 引腳圖
STPS61150C 封裝圖
N溝MOS管作為一種非常常見的MOS管,它是由P型襯底和兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作N溝道MOS管,該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)間形成N型導(dǎo)電溝道。
英特爾宣布與Silicon Mobility SAS達(dá)成收購(gòu)協(xié)議,以打造先進(jìn)的電動(dòng)汽車能源管理技術(shù),并推出全新的AI增強(qiáng)型軟件定義汽車SoC。
C語言于1972年11月問世,1978年美國(guó)電話電報(bào)公司(AT&T)貝爾實(shí)驗(yàn)室正式發(fā)布C語言,1983年由美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局(American National Standards
上篇文章給大家介紹了APB協(xié)議相關(guān)的知識(shí)點(diǎn),本篇文章通過一個(gè)實(shí)際的APB slave的設(shè)計(jì)幫助大家鞏固對(duì)APB的掌握。 APB slave設(shè)計(jì)Spec ? 其框圖如上圖所示,這里提一嘴,大家在做數(shù)字IC設(shè)計(jì)的時(shí)候,都應(yīng)該像這樣規(guī)劃好各個(gè)模塊的連接關(guān)系,確定好以后再寫代碼。該模塊是一個(gè) 基于APB協(xié)議完成寄存器配置或讀取的設(shè)計(jì)實(shí)例 。設(shè)計(jì)相對(duì)比較簡(jiǎn)單,但不失為一個(gè)很好的學(xué)習(xí)資料。 上面APB相關(guān)的信號(hào)都介紹過,這里不再重復(fù)介紹,其中的ECOREVNUM的意思是ECO revisi
有朋友問,星三角降壓?jiǎn)?dòng)中的電機(jī),星形連接和角形連接時(shí)轉(zhuǎn)速相同嗎?
英特爾發(fā)布兩款全新芯片——Sierra Forrest 和 Granite Rapids-D,還宣布一個(gè)全新邊緣平臺(tái)全面上市。這些產(chǎn)品旨在滿足運(yùn)營(yíng)商和企業(yè)在可持續(xù)發(fā)展和AI方面的需求。 英特爾一亮相MWC,就立即打出了一套軟硬件組合拳,旨在滿足5G和邊緣部署對(duì)可持續(xù)發(fā)展和AI的需求。 硬件領(lǐng)域更新 我們從硬件看起,這里有兩個(gè)值得關(guān)注的重要消息。首先,英特爾發(fā)布了用于5G核心網(wǎng)的至強(qiáng)處理器 Sierra Forest,該處理器將于2024年面世,與上一代芯片相比,單機(jī)架性能提高2.7倍。
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的成熟,技術(shù)的不斷演進(jìn),應(yīng)用的層出不窮,幾乎所有應(yīng)用領(lǐng)域都離不開位置信息服務(wù),尤其是移動(dòng)終端對(duì)定位精度要求更高
陶瓷電容是一種高性能的電子元件,溫度系數(shù)大范圍廣,比容量大,耐潮濕性好,介質(zhì)損耗較小,廣泛應(yīng)用于電子電路中。