
制造商:ON
型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
---|---|---|---|
NV25080DTHFT3G | - | - | 立即購買 |
標(biāo)題 | 類型 | 大小(KB) | 下載 |
---|---|---|---|
TSSOP8, 4.4x3 | 54 | 點(diǎn)擊下載 | |
64-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | 200 | 點(diǎn)擊下載 |
美國內(nèi)華達(dá)州公用事業(yè)委員會(huì)于近日批準(zhǔn)了NV能源公司的綜合資源計(jì)劃,包括三個(gè)共1190 MW的太陽能項(xiàng)目以及590 MW的儲(chǔ)能項(xiàng)目,其中一項(xiàng)或許是世界上最大的太陽能+儲(chǔ)能設(shè)施之一。
從@APISAK最新爆料的情況看,RTX 3090的CUDA為232429分,而在Geekbench CUDA分排行榜中,RTX 3090 超過了上代的數(shù)據(jù)中心級Tesla V100,領(lǐng)先幅度為11%,創(chuàng)造了新紀(jì)錄。配合其完成設(shè)備搭載了i9-10900K和32GB內(nèi)存。
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱阻和提高散熱性能。 這種封裝使高密度電源的設(shè)計(jì)更加可靠,特別是對于沒有氣流的全封閉充電器和...
...N) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度,將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。 GaN是下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快...
據(jù)國外媒體報(bào)道,Mobileye NV正在利用母公司英特爾的芯片制造技術(shù)開發(fā)激光傳感器。該公司表示,到2025年,自動(dòng)駕駛汽車的價(jià)格將變得足夠低廉,可以在消費(fèi)者中普及開來。
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優(yōu)良的開關(guān)特性,低RDS(ON),封裝在一個(gè)小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作,并支持高密度電源設(shè)計(jì)。 為了充分利用GaN的這些優(yōu)勢,必須對GaN功率集成電路的熱管理進(jìn)行合...
最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm 的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱阻和提高散熱性能。 這種封裝使高密度電源的設(shè)計(jì)更加可靠,特別是對于沒有氣流的全封閉充電器和適配...
NV色心(氮-空位色心)是金剛石中由氮原子和鄰近空位形成的缺陷,其基態(tài)能級在外磁場作用下產(chǎn)生劈裂,在此基礎(chǔ)上通過光探測磁共振(ODMR)可檢測磁場強(qiáng)度。本文提出一種基于鎖相放大相機(jī)的NV色心磁成像
NCN5130 | NUF6406 | NCP51190 | NB3V1104C |
NLSX3014 | NB3L8543S | NCV33161 | NSI50350AD |
NCN8026 | NC7S08 | NCV7430 | NCP1219 |
NBXDBA017 | NB3N121K | NCV3843B | NTMFD5C674NL |
NLSX5002 | NCV70627 | NCP51402 | NB2304A |