NV25040

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應(yīng)用案例更多案例

• NV170D語(yǔ)音芯片的優(yōu)勢(shì)有哪些？

  NV170D-SOP8語(yǔ)音芯片有一組PWM輸出口，可以直推0.5w喇叭，音質(zhì)清晰，內(nèi)置LVR復(fù)位，無(wú)需外加復(fù)位電路。

  2023-05-22
• ???NV040C語(yǔ)音芯片的應(yīng)用案例解析

  NV040C語(yǔ)音芯片，可部分替代MCU的功能，通過(guò)通訊口調(diào)用NV040C語(yǔ)音芯片集成的標(biāo)準(zhǔn)功能模塊，實(shí)現(xiàn)更多的擴(kuò)展功能應(yīng)用，在MCU開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)上可節(jié)省1元以上的成本，同時(shí)省去產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中各類需求功能代碼的開(kāi)發(fā)和調(diào)試時(shí)間。

  2023-04-10
• 內(nèi)華達(dá)州批準(zhǔn)NV綜合資源計(jì)劃，計(jì)劃于2024年上線

  美國(guó)內(nèi)華達(dá)州公用事業(yè)委員會(huì)于近日批準(zhǔn)了NV能源公司的綜合資源計(jì)劃，包括三個(gè)共1190 MW的太陽(yáng)能項(xiàng)目以及590 MW的儲(chǔ)能項(xiàng)目，其中一項(xiàng)或許是世界上最大的太陽(yáng)能+儲(chǔ)能設(shè)施之一。

  2020-02-09
• 非易失性NV-SRAM的應(yīng)用，它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么

  NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來(lái)擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)。最后必須知道制造商...

  2020-10-27
• 納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V，實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

  ...N) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場(chǎng)。 GaN是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快...

  2022-05-05
• Mobileye NV利用英特爾的技術(shù)開(kāi)發(fā)激光傳感器

  據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Mobileye NV正在利用母公司英特爾的芯片制造技術(shù)開(kāi)發(fā)激光傳感器。該公司表示，到2025年，自動(dòng)駕駛汽車的價(jià)格將變得足夠低廉，可以在消費(fèi)者中普及開(kāi)來(lái)。

  2021-01-12
• 采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout

  采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖： 半橋結(jié)構(gòu)應(yīng)用 應(yīng)用在半橋電路中，自舉電路是獲得大功率場(chǎng)效應(yīng)管電源最實(shí)用有效的方法；需要注意 a.當(dāng)?shù)蛪簜?cè)的體二極管...

  2020-03-24
• NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

  介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱阻和提高散熱性能。 這種封裝使高密度電源的設(shè)計(jì)更加可靠，特別是對(duì)于沒(méi)有氣流的全封閉充電器和...

  2020-03-31

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