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    NDS355AN

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    ?N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    SuperSOT?-3 N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦、手提電話、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用,此類應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開(kāi)關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。
    • 1.7 A,30 V。 R
    • = 0.125 Ω @ V
    • = 4.5 V
    • R
    • = 0.085 Ω @ V
    • = 10 V
    • 采用專有SuperSOT?-3技術(shù)設(shè)計(jì)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23表面貼裝封裝,可實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能
    • 高密度設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的R
    • 出色的導(dǎo)通阻抗和最大DC電流能力
    • 緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23表面貼裝封裝

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    型號(hào)制造商描述購(gòu)買
    NDS355AN-NB9L007A-- 立即購(gòu)買
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    技術(shù)資料

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    SOT-23, 3 Lead, 1.3x2.9PDF54 點(diǎn)擊下載
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF464 點(diǎn)擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點(diǎn)擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點(diǎn)擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點(diǎn)擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點(diǎn)擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點(diǎn)擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點(diǎn)擊下載

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    NB3RL02NUF4220NCS20061NCP331
    NCP3063NB3N200SNLSX3013NUD4011
    NB3H63143GNCP5623BNCP1077NB4N441
    NB3L8504SNCP5030NCP1729NJW0302
    NCP1854NCP1399NCP1060NLSV1T244
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