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制造商：ADI/AD
優(yōu)勢和特點
自動柵極電壓調(diào)整(（無需校準）)
電源電壓： 5V至16.5V
為增強型或耗盡型器件提供合適的偏置
可調(diào)漏極電流最高可達1.6 A
流入或流出柵極電流
可產(chǎn)生內(nèi)部負電壓
可以通過禁用來使用外部負供電軌
快速使能/禁用
觸發(fā)輸出用于菊花鏈配置
上電和掉電序列
內(nèi)置遲滯的過流/欠流報警
裸片尺寸： 1.4 x 2.26 x 0.25mm
產(chǎn)品詳情
HMC980是一款有源偏置控制器，可自動調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實現(xiàn)恒定的偏置電流。 HMC980集成控制器，實現(xiàn)了安全的電源開/關(guān)、禁用/使能和自動供電序列，從而保證外部放大器的安全性。 它可用于為A級區(qū)（漏極電壓(VDRAIN)為5V至16.5V，漏極電流(IDRAIN)最大為1.6A）的增強和耗盡型放大器提供合適的偏置，提供了完整的偏置解決方案。
HMC980實現(xiàn)了出色的電壓、溫度、工藝偏置穩(wěn)定性，避免了由此引起的射頻性能下降通常所需的校準過程。此處顯示的所有數(shù)據(jù)均采用合適的探頭測得。
應用
微波無線電和VSAT
軍事和太空
測試儀器儀表
光纖調(diào)制器驅(qū)動器偏置
CATV激光驅(qū)動器偏置
蜂窩基站
無線基礎設施設備
DAF膠膜，全稱芯片粘接薄膜（Die Attach Film），又稱固晶膜或晶片黏結(jié)薄膜，是半導體封裝中的關(guān)鍵材料，用于實現(xiàn)芯片（Die）與基板（Substrate）或框架（Lead Frame）之間的高性能、高可靠性連接。這種連接直接決定了器件的機械強度、導熱性能和長期可靠性。
Hittite Microwave Corporation近期擴展了直流偏置控制芯片產(chǎn)品線，推出了HMC980管芯。HMC980是一款大電流的有源偏置控制管芯，是管理和控制射頻放大器偏置的理想選擇。HMC980可應用于移動通信
PA的目標漏極電流由Pin20的電阻設定。為了獲得穩(wěn)定的偏置電流，R10需要選用高精度以及溫度系數(shù)小的電阻元件。由于HMC980內(nèi)部的開關(guān)管本身具有阻抗，因而Vdd可以根據(jù)后級PA所需要的漏極電壓加上該開關(guān)管上消耗的電壓。
MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內(nèi)。
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
第一款即將于今年秋天推出的VR體驗是基于《無敵破壞王2：大鬧互聯(lián)網(wǎng)》改編而成，被命名為“Ralph Breaks VR”。而第二款體驗則是根據(jù)一部即將在2019年上映的尚未公開的漫威電影改編，目前還未公布確切信息。漫威將于2019年推...
三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務應用。
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
| HMC517LC4 | HV2733 | HMC1033 | HMC341LC3B |
| HMC715 | HMC797APM5E | HMC345A | HMC854 |
| HMC441LM1 | HMC499-Die | HMC742A | HMC516LC5 |
| HMC865 | HMC-AUH320 | HMC329A-Die | HMC442LM1 |
| HMC402 | HMC1013 | HMC877 | HMC509 |
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