HMC722LP3E

制造商：ADI/AD

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  HMC722LP3E電路圖

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• 四款MMIC低噪聲放大器的特點(diǎn)及適用范圍

  Hittite公司推出的HMC902和MC903，HMC902LP3E和HMC903LP3E四款MMIC低噪聲放大器，覆蓋頻率從5到 18GHz，適用于汽車電子、寬帶、微波、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。

  2020-11-25
• HMC981LP3E有源偏置控制器技術(shù)手冊(cè)

  HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 它可用于為A級(jí)區(qū)（漏極電壓為4V至12V，漏極電流最大為200mA）的增強(qiáng)和耗盡型放大器提供合適的偏置，提供了完整的偏置解決方案。

  2025-03-21
• HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè)

  HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來(lái)降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm

  2025-03-21
• HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

  HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過(guò)可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置，以降低IDQ

  2025-03-21
• HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊(cè)

  及+24 dBm輸出IP3。 由于尺寸較小、采用+3V單電源供電和隔直RF I/O，該自偏置LNA非常適合混合和MCM組件應(yīng)用。 HMC566LP4E采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝，無(wú)需線焊，可以使用高容量表貼制造技術(shù)。 HMC566LP4E還提供HMC566芯片形式。

  2025-03-20
• HMC311LP3 InGaP HBT增益模塊MMIC放大器技術(shù)手冊(cè)

  HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器，工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封裝放大器可用作級(jí)聯(lián)50 Ohm

  2025-03-19
• HMC263LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，24-36GHz技術(shù)手冊(cè)

  HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無(wú)引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V

  2025-03-19
• HMC981LP3E有源偏置控制器SMT

  HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。它可用于為A級(jí)區(qū)（漏極電壓為4V至12V，漏極電流最大為200mA）的增強(qiáng)和耗盡型放大器提供合適的偏置

  2023-02-03

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