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制造商：ADI/AD
優(yōu)勢和特點
增益控制：-13.5至+18 dB，步長為0.5 dB
上電狀態(tài)選擇
高輸出IP3：+32 dBm
TTL/CMOS兼容串行、并行或鎖存并行控制
增益步長誤差：±0.25 dB（典型值）
+5V單電源
32引腳5x5 mm SMT封裝： 25 mm2
產品詳情
HMC625BLP5E是一款數字控制可變增益放大器，工作頻率范圍為DC至5 GHz，可編程為以0.5 dB步長提供13.5 dB衰減至18 dB增益范圍內的任意值。HMC625BLP5E在最大增益狀態(tài)下的噪聲系數為6 dB，任意狀態(tài)下的輸出IP3高達+32 dBm。雙?？刂平涌诩嫒軨MOS/TTL，可接受三線式串行輸入或6位并行字。HMC625BLP5E還提供用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口，可級聯(lián)其他Hittite串行控制元件。HMC625BLP5E采用符合RoHS標準的5x5 mm QFN無鉛封裝，無需外部匹配元件。
應用
蜂窩/3G基礎設施
WiBro / WiMAX / 4G
微波無線電和VSAT
測試設備和傳感器
IF和RF應用
HMC625B電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC625BLP5ETR | - | - | 立即購買 |
| HMC625BLP5E | - | - | 立即購買 |
...通信息，本文提出了一種基于AT91RM9200 和AMR 磁阻傳感器（HMC1022）的嵌入式前端信息采集設備。 1 AMR 磁阻傳感器技術簡介 異向性磁阻傳感器（AMR），最適于工作在地球磁場范圍，可以檢測直流靜態(tài)磁場，
有時測試序列需要能夠避免電源電壓突然上升。EasyRamp功能允許用戶模擬啟動曲線。通道開啟之后，輸出電壓的增加將在定義的時間范圍內與設定電壓值成近似線性關系。
HMC543ALC4B是一款4位數字移相器，額定工作頻率范圍為8至12 GHz，提供0至360度的相位覆蓋，具有22.5度的LSB。HMC543ALC4B在所有相態(tài)具有4度的極低RMS相位誤差
HMC448LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。
該交換芯片由兩個負控電壓輸入 (VCTL = ?5 V / 0 V) 供電，無需另外電源，且不消耗電流。HMC347B 的 RFx 焊盤通過一條 3.0 mil × 0.5 mil 的最小號連接帶與 50 Ω 條傳輸線連接，可獲取所有電氣性能數據。
新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。驍龍625是高通首款采用14nm制程打造的八核心處理器
驍龍435八核處理器是一款中高性能的手機處理器，400系列中首款集成 X8 LTE 及支持 Cat 6 的處理器高通驍龍625處理器，采用A53八核心設計，其單核頻率最高可達2.0GHz，14nm FinFET制程，而GPU部分則是Adreno 506。
2016年10月18日上午，高通在香港召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了驍龍653、驍龍626以及驍龍427三款全新的移動處理器，均為類似于驍龍821的“小改升級款”。驍龍625是高通（Qualcomm）首款采用14nm制程打造的八核心處理器
| HMC813LC4B | HMC221B | HMC584 | HMC1086 |
| HMC587 | HMC7748 | HV2301 | HMC-C047 |
| HMC742A | HMC943A | HMC453ST89 | HMC789 |
| HV2809 | HMC-C078 | HMC311SC70 | HMC559 |
| HV2733 | HMC578-Die | HMC443 | HMC394 |
上傳BOM
工商網監(jiān)