
制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
高輸出功率: +17 dBm
低輸入功耗驅(qū)動(dòng): 0至+6 dBm
Fo隔離: >25 dBc(Fout = 28 GHz時(shí))
100 kHz SSB相位噪聲: -132 dBc/Hz
單電源: +5V (81 mA)
裸片尺寸: 1.18 x 1.23 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC578是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下,F(xiàn)o和3Fo隔離分別大于25 dBc和36 dBc。 HMC578非常適合在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無(wú)線電的LO倍頻鏈中使用,與傳統(tǒng)方法相比,可以減少器件數(shù)量。 100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-132 dBc/Hz,有助于保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。
應(yīng)用
時(shí)鐘生成應(yīng)用:SONET OC-192和SDH STM-64
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和VSAT無(wú)線電
測(cè)試儀器儀表
軍事電子戰(zhàn)/雷達(dá)
太空
HMC578-DIE電路圖
型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購(gòu)買(mǎi) |
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HMC578-SX | - | - | 立即購(gòu)買(mǎi) |
HMC578 | - | - | 立即購(gòu)買(mǎi) |
HMC490是一款高動(dòng)態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器,工作頻率范圍為12至17 GHz。采用+5V電源時(shí),HMC490提供27 dB增益、2 dB噪聲系數(shù)和35 dBm輸出IP3
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+15 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下,F(xiàn)o和3Fo隔離分別大于20 dBc和30 dBc。
HMC578是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在24至33 GHz范圍內(nèi)提供+17 dBm的典型輸出功率。 在28 GHz頻率下,F(xiàn)o
AMD不久前剛剛發(fā)布了代號(hào)Rome(羅馬)第二代EPYC霄龍?zhí)幚砥?,擁?nm工藝和Zen 2架構(gòu),而且采用了chiplet小芯片設(shè)計(jì),集成最多八個(gè)CPU Die和一個(gè)IO Die設(shè)計(jì)非常獨(dú)特。
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時(shí)加工1 片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來(lái)越小,加工及測(cè)量設(shè)備越來(lái)越先進(jìn),使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。
DAF膠膜,全稱芯片粘接薄膜(Die Attach Film),又稱固晶膜或晶片黏結(jié)薄膜,是半導(dǎo)體封裝中的關(guān)鍵材料,用于實(shí)現(xiàn)芯片(Die)與基板(Substrate)或框架(Lead Frame)之間的高性能、高可靠性連接。這種連接直接決定了器件的機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)熱性能和長(zhǎng)期可靠性。
DDR4的單、雙DIE兼容仿真案例
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),Die(發(fā)音為/da?/,中文常稱為裸片、裸晶、晶粒或晶片)是指從一整片圓形硅晶圓(Wafer)上,通過(guò)精密切割(Dicing)工藝分離下來(lái)的、單個(gè)含有完整集成電路(IC)功能的小方塊。
HMC8205 | HMC829 | HMC717A | HV5523 |
HMC8114 | HMC943A | HMC466 | HMC219B |
HMC347A-Die | HMC613 | HMC630 | HMC465-Die |
HMC795 | HMC253AQS24 | HMC746 | HMC544A |
HMC1058 | HMC-C007 | H3LIS331DL | HV857 |